DCスパッタリングに必要な圧力は、通常0.5 mTorrから100 mTorrの範囲である。
この圧力は、スパッタプロセスに適した環境を維持するために必要である。
このプロセスでは、高純度の不活性ガス（通常はアルゴン）を使用してプラズマを生成し、薄膜の成膜を促進する。
4つのキーファクターの説明
1.ベース圧力とバックフィル
スパッタリングプロセスを開始する前に、真空チャンバー内を排気してH2O、空気、H2、Arなどの不純物を除去し、ベース圧力に到達させる。
これは、クリーンで高品質な薄膜の成膜に適した環境を確保するために非常に重要である。
ベース圧を達成した後、チャンバーは高純度の不活性ガス、通常はアルゴンで埋め戻される。
アルゴンは、相対的な質量と、プラズマ中の分子衝突の際に運動エネルギーを効果的に伝達する能力から選ばれる。
2.プラズマ形成のための動作圧力
DCスパッタリング中の動作圧力は、プラズマの形成が可能な範囲に設定される。
このプラズマは、スパッタリングの主要な駆動力であるガスイオンを生成するために不可欠である。
プラズマを発生させるのに必要な圧力は10^-2～10^-3 Torrのオーダーであり、真空システムで達成可能な基本圧力（多くの場合10^-7 Torrまで）よりもかなり高い。
スパッタリングでは、ターゲットから物質を離脱させるのに必要なイオンを供給するためのプロセスガスが必要となるため、このような高い圧力が必要となる。
3.薄膜特性への影響
ベース圧力と動作圧力は、生成される薄膜の特性に大きく影響する。
極めて低い圧力（10^-8Torr）で作動できる熱蒸着や電子ビーム蒸着とは異なり、スパッタリングでは、プラズマを維持し、ターゲット材料にイオンを衝突させるために、一定レベルのガス圧力が必要である。
この圧力範囲により、イオンの十分なエネルギーと密度が確保され、ターゲット材料が基板上に効果的にスパッタリングされる。
4.圧力の制御と維持
チャンバー内の所望の動作圧力は、通常2段式ロータリー真空ポンプまたはターボ分子ポンプとロータリーポンプを組み合わせた真空ポンプを使用して達成される。
アルゴンガスは、微調整バルブを通してチャンバー内に慎重に導入され、効果的なスパッタリングに必要な圧力範囲に正確に調整することができます。
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