製品 熱機器 CVDおよびPECVD炉 液体ガス化装置付きスライド PECVD 管状炉 PECVD 装置
液体ガス化装置付きスライド PECVD 管状炉 PECVD 装置

CVDおよびPECVD炉

液体ガス化装置付きスライド PECVD 管状炉 PECVD 装置

商品番号 : KT-PE12

価格は以下に基づいて変動します 仕様とカスタマイズ


最大。温度
1200℃
一定の作業温度
1100℃
炉管径
60mm
加熱ゾーンの長さ
1×450mm
加熱速度
0~20℃/分
摺動距離
600mm
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配送:

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アプリケーション

液体ガス化装置を備えた KT-PE12 スライド PECVD システムは、500W RF プラズマ源 1 台、TF-1200 スライド炉 1 台、MFC ガス精密制御ユニット 4 台、および標準真空ステーション 1 台で構成されます。急速加熱と急速冷却の目的を実現できる炉室レールスライドシステム。オプションの補助強制空気循環ファンを取り付けて冷却速度を速めることができます。オプションのスライド移動は自動的に動作します。最大。動作温度は最大1200℃、炉管は直径60mmの石英管です。 CH4、H2、O2、N2 のソースガスを備えた 4 チャンネル MFC 質量流量計。真空ステーションは 4L/S ロータリーベーン真空ポンプ 1 台、最大 200 kW です。真空圧力は最大10Paまで対応可能です。

利点

  • RFプラズマ自動マッチングソース、広い5-500W出力電力範囲の安定した出力
  • 炉室スライド方式による高速加熱・短時間冷却、補助急速冷却、自動スライド移動も可能
  • PIDプログラマブル温度制御、優れた制御精度、リモート制御と集中制御をサポート
  • 高精度MFC質量流量計制御、原料ガスの予混合と安定したガス供給速度
  • さまざまな真空ポンプステーションの設定に対応するさまざまな適応ポートを備えたステンレス鋼製真空フランジ、優れたシール性と高真空度
  • CTF Pro は 1 つの 7 インチ TFT タッチ スクリーン コントローラーを適用し、より使いやすいプログラム設定と履歴データ分析を実現します。

さまざまな温度および設定の CVD システムが利用可能

液体ガス化装置を備えたスライドPECVDシステム
液体ガス化装置を備えたスライドPECVDシステム
デュアルスプリットチューブ炉を備えたスライドPECVDシステム
デュアルスプリットチューブ炉を備えたスライドPECVDシステム
大口径チューブを備えたスプリットPECVDシステム
大口径チューブを備えたスプリットPECVDシステム
高真空ステーションを備えた 4 チャンネル MFC PECVD システム
高真空ステーションを備えた 4 チャンネル MFC PECVD システム

安全上の利点

  • Kindle Tech 管状炉は過電流保護と過熱警報機能を備えており、炉は自動的に電源をオフにします。
  • 炉には熱電対検出機能が組み込まれており、破損または故障が検出されると炉は加熱を停止し、アラームが鳴ります。
  • PE Proは停電再起動機能をサポートしており、障害後に電力が供給されると炉は炉加熱プログラムを再開します。

技術仕様

炉モデルKT-PE12-60
最大。温度1200℃
一定の作業温度1100℃
炉管材質高純度クォーツ
炉管径60mm
加熱ゾーンの長さ1×450mm
チャンバー材質日本製アルミナファイバー
発熱体Cr2Al2Mo2線コイル
加熱速度0~20℃/分
熱電対ビルドインKタイプ
温度調節器デジタルPIDコントローラー/タッチスクリーンPIDコントローラー
温度制御精度±1℃
摺動距離600mm
RFプラズマユニット
出力電力5 -500W ± 1% の安定性で調整可能
RF周波数13.56MHz ±0.005%の安定性
反射力最大350W
マッチング自動
ノイズ<50dB
冷却空冷。
ガス精密制御ユニット
流量計MFC質量流量計
ガスチャネル4チャンネル
流量MFC1: 0-5SCCM O2
MFC2:0-20SCMCH4
MFC3: 0-100SCCM H2
MFC4: 0-500 SCCM N2
直線性±0.5%FS
再現性±0.2%FS
パイプラインとバルブステンレス鋼
最高使用圧力0.45MPa
流量計コントローラデジタルノブコントローラー/タッチスクリーンコントローラー
標準真空ユニット(オプション)
真空ポンプロータリーベーン真空ポンプ
ポンプ流量4L/S
真空吸引ポートKF25
真空計ピラニ/抵抗シリコン真空計
定格真空圧力10Pa
高真空ユニット(オプション)
真空ポンプロータリーベーンポンプ+分子ポンプ
ポンプ流量4L/S+110L/S
真空吸引ポートKF25
真空計複合真空計
定格真空圧力6×10-5Pa
上記の仕様および設定はカスタマイズ可能です

標準パッケージ

いいえ。説明
11
2石英管1
3真空フランジ2
4チューブサーマルブロック2
5チューブサーマルブロックフック1
6耐熱手袋1
7 RFプラズマ源1
8正確なガス制御1
9バキュームユニット1
10取扱説明書1

オプションのセットアップ

  • H2、O2 などのチューブ内ガスの検出と監視
  • 独立した炉温度の監視と記録
  • PC リモート制御およびデータエクスポート用の RS 485 通信ポート
  • 質量流量計やフロート流量計などのインサートガス供給流量制御
  • オペレーターに優しい多彩な機能を備えたタッチスクリーン温度コントローラー
  • ベーン真空ポンプ、分子ポンプ、拡散ポンプなどの高真空ポンプステーションのセットアップ

警告

オペレーターの安全は最重要課題です。装置の操作には注意してください。引火性ガス、爆発性ガス、有毒ガスを扱う作業は非常に危険です。オペレーターは装置を始動する前に必要な予防措置をすべて講じる必要があります。反応器またはチャンバー内で陽圧を使用して作業するのは危険です。オペレーターは安全手順を厳密に遵守する必要があります。空気反応性材料を使用する場合、特に真空下で作業する場合には、特別な注意を払う必要があります。漏れがあると空気が装置内に引き込まれ、激しい反応が発生する可能性があります。

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FAQ

PECVD法とは何ですか?

PECVD (プラズマ化学気相成長) は、マイクロ電子デバイス、太陽電池、およびディスプレイ パネルに薄膜を堆積するために半導体製造で使用されるプロセスです。 PECVD では、前駆体はガス状態で反応チャンバーに導入され、プラズマ反応媒体の助けにより、CVD よりもはるかに低い温度で前駆体が解離します。 PECVD システムは、優れた膜均一性、低温処理、および高スループットを提供します。これらは幅広い用途で使用されており、高度な電子デバイスの需要が成長し続けるにつれて、半導体業界でますます重要な役割を果たすことになります。

Mpcvdとは何ですか?

MPCVD はマイクロ波プラズマ化学蒸着の略で、表面に薄膜を堆積するプロセスです。真空チャンバー、マイクロ波発生器、ガス供給システムを使用して、反応する化学物質と必要な触媒で構成されるプラズマを生成します。 MPCVD は、メタンと水素を使用してダイヤモンドの層を堆積し、ダイヤモンドシード基板上に新しいダイヤモンドを成長させるために、ANFF ネットワークで頻繁に使用されています。これは、低コストで高品質の大型ダイヤモンドを生産するための有望な技術であり、半導体およびダイヤモンド切断業界で広く使用されています。

PECVD は何に使用されますか?

PECVD (プラズマ化学気相成長) は、集積回路を製造する半導体業界だけでなく、太陽光発電、トライボロジー、光学、生物医学の分野でも広く使用されています。マイクロ電子デバイス、太陽電池、ディスプレイ パネル用の薄膜を堆積するために使用されます。 PECVD は、一般的な CVD 技術だけでは作成できない独自の化合物と膜、および化学的および熱的安定性を備えた高い耐溶剤性と耐腐食性を示す膜を生成できます。また、広い表面上で均質な有機および無機ポリマーを製造したり、トライボロジー用途向けのダイヤモンド状カーボン (DLC) を製造したりするためにも使用されます。

Mpcvdマシンとは何ですか?

MPCVD (マイクロ波プラズマ化学蒸着) 装置は、高品質のダイヤモンド膜を成長させるために使用される実験装置です。炭素含有ガスとマイクロ波プラズマを使用してダイヤモンド基板上にプラズマ ボールを生成し、それを特定の温度に加熱します。プラズマボールはキャビティ壁に接触しないため、ダイヤモンドの成長プロセスに不純物が含まれず、ダイヤモンドの品質が向上します。 MPCVD システムは、真空チャンバー、マイクロ波発生器、チャンバーへのガスの流れを制御するガス供給システムで構成されます。

PECVD の利点は何ですか?

PECVD の主な利点は、より低い堆積温度で動作できること、凹凸のある表面での適合性とステップ カバレッジの向上、薄膜プロセスのより厳密な制御、および高い堆積速度です。 PECVD を使用すると、従来の CVD 温度ではコーティングされるデバイスや基板に損傷を与える可能性がある状況でも適用できます。 PECVD は、より低い温度で動作することにより、薄膜層間の応力を低減し、高効率の電気的性能と非常に高い基準での接合を可能にします。

Mpcvd の利点は何ですか?

MPCVD には、より高い純度、より少ないエネルギー消費、より大きなダイヤモンドを製造できるなど、他のダイヤモンド製造方法に比べていくつかの利点があります。

ALD と PECVD の違いは何ですか?

ALD は、原子層の厚さの分解能、高アスペクト比の表面とピンホールのない層の優れた均一性を可能にする薄膜堆積プロセスです。これは、自己制限反応における原子層の連続的な形成によって達成されます。一方、PECVD では、プラズマを使用して原料と 1 つ以上の揮発性前駆体を混合し、原料を化学的に相互作用させて分解します。このプロセスでは高圧で熱を使用するため、膜厚を時間/電力で管理できる、より再現性の高い膜が得られます。これらの膜はより化学量論的で密度が高く、より高品質の絶縁膜を成長させることができます。

CVD ダイヤモンドは本物ですか、それとも偽物ですか?

CVD ダイヤモンドは本物のダイヤモンドであり、偽物ではありません。これらは、化学蒸着 (CVD) と呼ばれるプロセスを通じて研究室で成長します。地表下から採掘される天然ダイヤモンドとは異なり、CVD ダイヤモンドは実験室で高度な技術を使用して作成されます。これらのダイヤモンドは 100% 炭素であり、タイプ IIa ダイヤモンドとして知られる最も純粋な形のダイヤモンドです。天然ダイヤモンドと同じ光学的、熱的、物理的、化学的特性を持っています。唯一の違いは、CVD ダイヤモンドは実験室で作成され、地球から採掘されたものではないことです。

PECVDとスパッタリングの違いは何ですか?

PECVD とスパッタリングはどちらも薄膜の堆積に使用される物理蒸着技術です。 PECVD は拡散ガス駆動のプロセスであり、スパッタリングは見通し内堆積ですが、非常に高品質の薄膜が得られます。 PECVD は、溝、壁などの凹凸のある表面をより良好にカバーし、高い適合性を実現し、独自の化合物やフィルムを生成できます。一方、スパッタリングは複数の材料の微細層の堆積に適しており、多層および多段階のコーティング システムを作成するのに理想的です。 PECVD は主に半導体産業、トライボロジー、光学、生物医学の分野で使用され、スパッタリングは主に誘電体材料とトライボロジーの用途に使用されます。
この製品に関するよくある質問をもっと見る

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