CVDおよびPECVD炉

傾斜回転プラズマエッチングCVD（PECVD）装置チューブ炉マシン

Name: 傾斜回転プラズマエッチングCVD（PECVD）装置 チューブ炉 マシン
Brand: Kintek Solution
SKU: KT-PED
Rating: 4.81 (19 reviews)

商品番号 : KT-PED

価格は以下に基づいて変動します仕様とカスタマイズ

サンプルホルダー加熱温度: ≤800℃
ガスパージチャンネル: 4チャンネル
真空チャンバーチャンバーサイズ: Φ500mm × 550 mm

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はじめに

プラズマエッチングCVD（PECVD）は、蒸気またはガスを前駆体として使用してコーティングを作成する真空薄膜堆積プロセスです。PECVDは、熱の代わりにプラズマを使用してソースガスまたは蒸気を活性化する化学気相成長（CVD）のバリエーションです。高温を回避できるため、可能な基板の範囲が低融点材料、場合によってはプラスチックにまで広がります。さらに、堆積できるコーティング材料の範囲も広がります。PECVDは、誘電体、半導体、金属、絶縁体を含むさまざまな材料の堆積に使用されます。PECVDコーティングは、太陽電池、フラットパネルディスプレイ、マイクロエレクトロニクスなど、さまざまな用途で使用されています。

応用

プラズマエッチングCVD（PECVD）コーティングマシンは、さまざまな産業およびアプリケーションに汎用性の高いソリューションを提供します。

LED照明：発光ダイオード（LED）用の高品質誘電体および半導体膜の堆積。
パワー半導体：パワー半導体デバイスにおける絶縁層、ゲート酸化膜、その他の重要なコンポーネントの形成。
MEMS：センサーやアクチュエーターなどのマイクロ電気機械システム（MEMS）用の薄膜の製造。
光学コーティング：反射防止コーティング、光学フィルター、その他の光学コンポーネントの堆積。
薄膜太陽電池：太陽電池デバイス用の非晶質および微結晶シリコン薄膜の製造。
表面改質：耐食性、耐摩耗性、生体適合性などの表面特性の向上。
ナノテクノロジー：ナノ粒子、ナノワイヤー、薄膜などのナノマテリアルの合成。

プラズマエッチング堆積PECVDコーティングマシン詳細

特徴

プラズマエッチングCVD（PECVD）コーティングマシンは、生産性を向上させ、優れた結果をもたらす多数の利点を提供します。

低温堆積：従来のCVD法よりも大幅に低い温度で高品質の膜を形成でき、デリケートな基板に適しています。
高い堆積速度：膜を迅速に堆積させることで効率を最大化し、生産時間を短縮し、出力を増加させます。
均一でひび割れにくい膜：膜の特性の一貫性を確保し、ひび割れのリスクを最小限に抑え、信頼性が高く耐久性のあるコーティングを実現します。
基板への優れた密着性：膜と基板の間の強力な接着を提供し、長持ちする性能を確保し、剥離を防ぎます。
汎用性の高いコーティング機能：SiO2、SiNx、SiOxNyなど、さまざまな材料の堆積を可能にし、多様なアプリケーション要件に対応します。
複雑な形状に対応するカスタマイズ：基板の複雑な形状に対応し、均一なコーティングと最適な性能を保証します。
低メンテナンスと簡単な設置：ダウンタイムを最小限に抑え、セットアップを簡素化し、生産性とコスト効率を向上させます。

技術仕様

サンプルホルダー	サイズ	1～6インチ
	回転速度	0～20rpm調整可能
	加熱温度	≤800℃
	制御精度	±0.5℃ 島津PIDコントローラー
ガスパージ	流量計	マスフローコントローラー（MFC）
	チャンネル	4チャンネル
	冷却方法	循環水冷却
真空チャンバー	チャンバーサイズ	Φ500mm X 550mm
	観察ポート	バッフル付きフルビューポート
	チャンバー材質	316ステンレス鋼
	ドアタイプ	前面開放型ドア
	キャップ材質	304ステンレス鋼
	真空ポンプポート	CF200フランジ
	ガス入口ポート	φ6 VCRコネクタ
プラズマ電源	ソース電源	DC電源またはRF電源
	カップリングモード	誘導結合またはプレート容量結合
	出力電力	500W～1000W
	バイアス電源	500V
真空ポンプ	予備ポンプ	15L/S ベーン式真空ポンプ
	ターボポンプポート	CF150/CF200 620L/S-1600L/S
	排気ポート	KF25
	ポンプ速度	ベーンポンプ：15L/s、ターボポンプ：1200l/sまたは1600l/s
	真空度	≤5×10-5Pa
	真空センサー	イオン化/抵抗真空計/フィルムゲージ
システム	電源	AC 220V /380 50Hz
	定格電力	5kW
	寸法	900mm X 820mm X870mm
	重量	200kg

原理

プラズマエッチングCVD（PECVD）は、堆積中に化学反応を促進するためにプラズマを利用し、低温で高品質の固体膜を形成できるようにします。高エネルギープラズマを使用することで、PECVDマシンは反応速度を高め、反応温度を下げます。この技術は、LED照明、パワー半導体、MEMSで広く使用されています。SiO2、SiNx、SiOxNy、その他の誘電体膜、および複合基板へのSiO厚膜の高速堆積を可能にします。PECVDは優れた膜形成品質を提供し、ピンホールを最小限に抑え、ひび割れを低減するため、非晶質および微結晶シリコン薄膜太陽電池デバイスの製造に適しています。

利点

さまざまな材料を堆積できる能力：PECVDは、ダイヤモンド様炭素、シリコン化合物、金属酸化物など、さまざまな材料を堆積でき、調整された特性を持つ膜を作成できます。
低温操作：PECVDは低温（通常300～450℃）で動作するため、熱に敏感な基板に適しています。
高品質の薄膜：PECVDは、優れた均一性、膜厚制御性、およびひび割れ耐性を備えた薄膜を生成します。
優れた密着性：PECVDによって堆積された膜は、基板への強力な密着性を示し、耐久性と信頼性を確保します。
コンフォーマルコーティング：PECVDは複雑な形状のコーティングを可能にし、均一な被覆と保護を提供します。
高い堆積速度：PECVDは高速な堆積速度を提供し、生産性を向上させ、生産時間を短縮します。
低メンテナンス：PECVDシステムは低メンテナンスで設計されており、ダウンタイムを最小限に抑え、稼働時間を最大化します。
簡単な設置：PECVD装置は、既存の生産ラインへの設置と統合が比較的簡単です。
堅牢な設計：PECVDシステムは堅牢な設計で構築されており、安定性と長寿命のパフォーマンスを保証します。
長寿命：PECVDシステムは長寿命で設計されており、長期的な薄膜堆積ニーズにコスト効率の高いソリューションを提供します。

警告

オペレーターの安全は最重要課題です。装置の操作には注意してください。引火性ガス、爆発性ガス、有毒ガスを扱う作業は非常に危険です。オペレーターは装置を始動する前に必要な予防措置をすべて講じる必要があります。反応器またはチャンバー内で陽圧を使用して作業するのは危険です。オペレーターは安全手順を厳密に遵守する必要があります。空気反応性材料を使用する場合、特に真空下で作業する場合には、特別な注意を払う必要があります。漏れがあると空気が装置内に引き込まれ、激しい反応が発生する可能性があります。

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FAQ

PECVD法とは何ですか？

PECVD (プラズマ化学気相成長) は、マイクロ電子デバイス、太陽電池、およびディスプレイパネルに薄膜を堆積するために半導体製造で使用されるプロセスです。 PECVD では、前駆体はガス状態で反応チャンバーに導入され、プラズマ反応媒体の助けにより、CVD よりもはるかに低い温度で前駆体が解離します。 PECVD システムは、優れた膜均一性、低温処理、および高スループットを提供します。これらは幅広い用途で使用されており、高度な電子デバイスの需要が成長し続けるにつれて、半導体業界でますます重要な役割を果たすことになります。

Mpcvdとは何ですか?

MPCVD はマイクロ波プラズマ化学蒸着の略で、表面に薄膜を堆積するプロセスです。真空チャンバー、マイクロ波発生器、ガス供給システムを使用して、反応する化学物質と必要な触媒で構成されるプラズマを生成します。 MPCVD は、メタンと水素を使用してダイヤモンドの層を堆積し、ダイヤモンドシード基板上に新しいダイヤモンドを成長させるために、ANFF ネットワークで頻繁に使用されています。これは、低コストで高品質の大型ダイヤモンドを生産するための有望な技術であり、半導体およびダイヤモンド切断業界で広く使用されています。

PECVD は何に使用されますか?

PECVD (プラズマ化学気相成長) は、集積回路を製造する半導体業界だけでなく、太陽光発電、トライボロジー、光学、生物医学の分野でも広く使用されています。マイクロ電子デバイス、太陽電池、ディスプレイパネル用の薄膜を堆積するために使用されます。 PECVD は、一般的な CVD 技術だけでは作成できない独自の化合物と膜、および化学的および熱的安定性を備えた高い耐溶剤性と耐腐食性を示す膜を生成できます。また、広い表面上で均質な有機および無機ポリマーを製造したり、トライボロジー用途向けのダイヤモンド状カーボン (DLC) を製造したりするためにも使用されます。

Mpcvdマシンとは何ですか?

MPCVD (マイクロ波プラズマ化学蒸着) 装置は、高品質のダイヤモンド膜を成長させるために使用される実験装置です。炭素含有ガスとマイクロ波プラズマを使用してダイヤモンド基板上にプラズマボールを生成し、それを特定の温度に加熱します。プラズマボールはキャビティ壁に接触しないため、ダイヤモンドの成長プロセスに不純物が含まれず、ダイヤモンドの品質が向上します。 MPCVD システムは、真空チャンバー、マイクロ波発生器、チャンバーへのガスの流れを制御するガス供給システムで構成されます。

PECVD の利点は何ですか?

PECVD の主な利点は、より低い堆積温度で動作できること、凹凸のある表面での適合性とステップカバレッジの向上、薄膜プロセスのより厳密な制御、および高い堆積速度です。 PECVD を使用すると、従来の CVD 温度ではコーティングされるデバイスや基板に損傷を与える可能性がある状況でも適用できます。 PECVD は、より低い温度で動作することにより、薄膜層間の応力を低減し、高効率の電気的性能と非常に高い基準での接合を可能にします。

Mpcvd の利点は何ですか?

MPCVD には、より高い純度、より少ないエネルギー消費、より大きなダイヤモンドを製造できるなど、他のダイヤモンド製造方法に比べていくつかの利点があります。

ALD と PECVD の違いは何ですか?

ALD は、原子層の厚さの分解能、高アスペクト比の表面とピンホールのない層の優れた均一性を可能にする薄膜堆積プロセスです。これは、自己制限反応における原子層の連続的な形成によって達成されます。一方、PECVD では、プラズマを使用して原料と 1 つ以上の揮発性前駆体を混合し、原料を化学的に相互作用させて分解します。このプロセスでは高圧で熱を使用するため、膜厚を時間/電力で管理できる、より再現性の高い膜が得られます。これらの膜はより化学量論的で密度が高く、より高品質の絶縁膜を成長させることができます。

CVD ダイヤモンドは本物ですか、それとも偽物ですか?

CVD ダイヤモンドは本物のダイヤモンドであり、偽物ではありません。これらは、化学蒸着 (CVD) と呼ばれるプロセスを通じて研究室で成長します。地表下から採掘される天然ダイヤモンドとは異なり、CVD ダイヤモンドは実験室で高度な技術を使用して作成されます。これらのダイヤモンドは 100% 炭素であり、タイプ IIa ダイヤモンドとして知られる最も純粋な形のダイヤモンドです。天然ダイヤモンドと同じ光学的、熱的、物理的、化学的特性を持っています。唯一の違いは、CVD ダイヤモンドは実験室で作成され、地球から採掘されたものではないことです。

PECVDとスパッタリングの違いは何ですか?

PECVD とスパッタリングはどちらも薄膜の堆積に使用される物理蒸着技術です。 PECVD は拡散ガス駆動のプロセスであり、スパッタリングは見通し内堆積ですが、非常に高品質の薄膜が得られます。 PECVD は、溝、壁などの凹凸のある表面をより良好にカバーし、高い適合性を実現し、独自の化合物やフィルムを生成できます。一方、スパッタリングは複数の材料の微細層の堆積に適しており、多層および多段階のコーティングシステムを作成するのに理想的です。 PECVD は主に半導体産業、トライボロジー、光学、生物医学の分野で使用され、スパッタリングは主に誘電体材料とトライボロジーの用途に使用されます。

この製品に関するよくある質問をもっと見る

4.9 / 5

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4.7 / 5

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