化学気相成長法（CVD）は、通常900℃から2000℃の非常に高い温度で行われるプロセスである。
この高温は、成膜プロセスに関わる化学反応にとって極めて重要である。
CVDでは、気相化学反応物質が反応して基板上に固体膜を形成する。
高温は、気体分子の移動と衝突の頻度を高めることで反応速度を向上させる。
その結果、成膜プロセスが促進される。
しかし、高温はいくつかの問題を引き起こす可能性がある。
部品の変形や基材構造の変化を引き起こす可能性がある。
これは基材の機械的特性を低下させ、基材とコーティングの結合を弱める可能性がある。
これらの問題は、基材の選択を制限し、ワークピースの品質に影響を与える。
こうした課題に対処するため、低温・高真空のCVDプロセスを開発する傾向がある。
プラズマエンハンスト化学気相成長法（PECVD）やプラズマアシスト化学気相成長法（PACVD）などの改良型CVDプロセスは、低温で動作する。
これらのプロセスは通常、室温から350℃の範囲である。
PECVDとPACVDは、熱膨張係数の異なる薄膜層間の応力を軽減する点で有益です。
これは、コーティングされるデバイスや基板の完全性を維持するのに役立ちます。
また、電気的性能や接合品質も向上する。
まとめると、従来のCVDは高温（600℃～800℃）で作動していたが、技術の進歩により、大幅に低い温度で作動するプロセスが開発された。
このような低温プロセスは、繊細な基板やデバイスに特に有利です。
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