熱 CVD と PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) の主な違いは、成膜プロセスで使用する温度とエネルギー源にあります。
熱CVDは、ガスと表面の反応を熱活性化のみに頼る。通常500˚C以上の高温に基板を加熱し、化学反応と所望の材料の成膜を促進する。熱は、反応ガスの解離と反応に必要なエネルギーを供給する。
一方、PECVDは熱エネルギーとRF誘導グロー放電の両方を利用して化学反応を制御する。RFエネルギーによって生成されたプラズマは自由電子を発生させ、反応ガスと衝突して解離させ、目的の反応を生じさせる。グロー放電のエネルギーは、高熱エネルギーへの依存を減らし、PECVDを100℃から400℃の低温で作動させることを可能にする。この低温は、材料へのストレスを軽減し、成膜プロセスをよりよく制御できる点で有利である。
要約すると、熱CVDとPECVDの主な違いは、使用するエネルギー源と温度範囲である。熱CVDは高温での熱活性化のみに依存するが、PECVDは熱エネルギーとRF誘導グロー放電を組み合わせて低温で作動する。PECVDには、成膜温度の低下、薄膜成膜の制御性の向上、良好な誘電特性を持つ膜の成膜能力などの利点があります。
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