物理スパッタリングは、高エネルギーイオンによる砲撃によって固体のターゲット材料から原子を放出させる薄膜蒸着に用いられるプロセスである。この技術は、スパッタリングされた薄膜の優れた均一性、密度、密着性により、半導体加工、精密光学、表面仕上げなど様々な産業で広く利用されている。
詳しい説明
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スパッタリングのメカニズム
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スパッタリングは物理的気相成長法（PVD）の一種で、ターゲット材料に高エネルギー粒子（通常はアルゴンのような希ガスのイオン）を浴びせる。このボンバードメントによってターゲット材料から原子が放出され、その後基板上に堆積して薄膜が形成される。このプロセスは、アルゴンのような不活性ガスを真空チャンバーに導入し、陰極に通電してプラズマを発生させることで開始される。ターゲット材料は陰極として機能し、成膜される基板は通常陽極に取り付けられる。スパッタリングの種類
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スパッタリングには、カソード・スパッタリング、ダイオ ード・スパッタリング、RFまたはDCスパッタリング、イオ ンビーム・スパッタリング、反応性スパッタリングなど、い くつかのバリエーションがある。このように名称は違っても、基本的なプロセスは同じである。すなわち、イオン砲撃によるターゲット材料からの原子の放出である。
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プロセスのセットアップ
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典型的なセットアップでは、ターゲット材料と基板を真空チャンバー内に置く。両者の間に電圧を印加し、ターゲットを陰極、基板を陽極とする。電圧印加によりプラズマが発生し、ターゲットにイオンが衝突してスパッタリングが起こる。用途と利点：
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スパッタリングは、膜厚と組成を正確に制御して高品質の薄膜を製造できることから好まれている。半導体、ソーラーパネル、ディスクドライブ、光学機器などの製造に利用されている。このプロセスは汎用性が高く、金属、合金、化合物など幅広い材料の成膜に使用できる。
スパッタ収率：
