真空炉
真空ろう付け炉
商品番号 : KT-BF
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導入
真空ろう付け炉は、母材よりも低い温度で溶けるろう材を使用して 2 つの金属を接合する金属加工プロセスであるろう付けに使用される工業炉の一種です。真空ろう付け炉は通常、強力できれいな接合が必要な高品質の用途に使用されます。
真空ろう付け炉は、炉室内を真空にして、ろう付けプロセスを妨げる可能性のある酸素やその他のガスを除去します。これにより、強力で信頼性の高い接合を促進するクリーンな環境が作成されます。真空ろう付け炉は非常に高い温度を達成することもできるため、ステンレス鋼、チタン、アルミニウムなどのさまざまな金属のろう付けが可能になります。
詳細と部品
アプリケーション
真空ろう付け炉は、強力で漏れのない接合を作成できるため、さまざまな業界や用途で広く使用されています。主な応用分野には次のようなものがあります。
- 加熱および冷却アセンブリ
- マイクロチャネル熱交換器
- 航空機部品
- センサー
- 医療機器
- 構造コンポーネント
- その他の温熱製品
特徴
真空ろう付け炉は、その機能と顧客の価値を高める数多くの利点を提供します。
- 卓越した温度均一性:炉の設計により、チャンバー全体で均一な加熱が保証され、一貫した正確なろう付け結果が得られます。
- 効率的な加熱システム:この炉は、所望の温度に迅速に到達して維持する高性能加熱システムを利用しており、サイクル時間を短縮して生産性を向上させます。
- 高度な真空システム:炉には、チャンバーから酸素やその他の汚染物質を効果的に除去する高度な真空システムが装備されており、クリーンで制御されたろう付け環境が確保されます。
- ユーザーフレンドリーなインターフェイス:この炉は、操作と監視を簡素化し、広範なトレーニングの必要性を最小限に抑える直感的で使いやすいインターフェイスを備えています。
- 堅牢な構造:炉は耐久性のある材料とコンポーネントで作られており、要求の厳しい実験室環境でも長寿命と信頼性を保証します。
原理
真空ろう付け炉は横型の炉本体で、炉殻、炉内張り、発熱体、炉タンク、材料トレイ、真空システム、電子制御システムで構成されています。炉殻は炭素鋼板と形鋼を溶接して作られています。高品質の断熱レンガと耐火レンガが敷き詰められ、3つのゾーンで構成されています。発熱体は鉄-クロム-アルミニウム線でできており、炉の両側と底部のワイヤーレンガ上に螺旋状に配置されています。真空系は真空ユニット、油拡散ポンプ、ルーツポンプ、メカニカルポンプ、空圧バッフルバルブ、手動バタフライバルブから構成される3段真空ポンプを使用しています。
利点
- ボイドを最小限に抑え、優れた機械的特性を備えた高品質の接合部
- フラックスが不要なため、潜在的な汚染やろう付け後の洗浄が不要になります。
- 酸化とスケールが減少し、接合部がよりきれいになります
- 正確な温度制御により、融点の異なる材料の接合が可能
- 複雑なコンポーネントやアセンブリの結合に適しています
- 廃棄物の発生を最小限に抑えた環境に優しいプロセス
技術仕様
定格出力 | 100Kw |
定格温度 | 700℃ |
電源 | 380V、50Hz |
作業領域のサイズ | Φ820×1700㎜ |
低温極限真空 | 6.67×10-3Pa |
圧力上昇率 | 2pa/h |
温度制御精度 | ±1℃ |
FAQ
真空炉って何に使うの?
CVD炉とは何ですか?
化学蒸着 (CVD) は、加熱、プラズマ励起、光放射などのさまざまなエネルギー源を使用して、気相または気固界面で気体または蒸気の化学物質を化学反応させ、反応器内に固体堆積物を形成する技術です。化学反応。簡単に言うと、2 つ以上のガス状原料が反応チャンバーに導入され、それらが互いに反応して新しい材料を形成し、それを基板表面に堆積させます。
CVD炉は、高温管状炉ユニット、ガス制御ユニット、真空ユニットを備えた1つの複合炉システムであり、複合材料の調製、マイクロエレクトロニクスプロセス、半導体オプトエレクトロニクス、太陽エネルギー利用、光ファイバー通信、超伝導体の実験と生産に広く使用されています。技術、保護コーティング分野。
歯科用炉とは何ですか?
ラボプレスとは何ですか?
真空ろう付けの利点は何ですか?
真空ろう付けできる材料は何ですか?
コールドウォール真空炉とホットウォール真空炉の違いは何ですか?
真空炉ではどのようなプロセスが行われるのでしょうか?
真空ホットプレス炉の目的は何ですか?
真空アーク溶解法とは何ですか?
真空誘導溶解炉はどのように動作するのですか?
CVD炉はどのように動作するのですか?
CVD炉システムは、高温管状炉ユニット、反応ガス源精密制御ユニット、真空ポンプステーションおよび対応する組立部品で構成されています。
真空ポンプは反応管から空気を除去し、反応管内に不要なガスがないことを確認します。その後、管状炉が反応管を目標温度まで加熱し、反応ガス源の精密制御ユニットがさまざまなガスを導入できます。化学反応用の炉管内に設定された比率のガスが導入され、CVD 炉内で化学気相成長が形成されます。
歯科用炉にはどのような種類がありますか?
研究室における油圧プレスの目的は何ですか?
真空炉で使用されるガスは何ですか?
真空ホットプレス炉のメリットは何ですか?
VAR真空アーク再溶解(VAR)炉とは何ですか?
真空誘導溶解の利点は何ですか?
CVDプロセスで使用されるガスは何ですか?
CVD プロセスでは使用できるガス源が膨大にあり、CVD の一般的な化学反応には熱分解、光分解、還元、酸化、酸化還元が含まれるため、これらの化学反応に関与するガスを CVD プロセスで使用できます。
CVD グラフェン成長を例に挙げます。CVD プロセスで使用されるガスは CH4、H2、O2、N2 です。
歯科用炉の温度は何度ですか?
ラボ用プレスにはどのような種類がありますか?
真空炉で使用される発熱体とは何ですか?
真空ホットプレス炉はどのように動作するのですか?
真空アーク溶解炉はどのように動作するのですか?
真空は誘導溶解炉でどのように役立ちますか?
CVD装置の利点は何ですか?
- 金属膜、非金属膜、多成分合金膜など、ご要望に応じて幅広い膜の製造が可能です。同時に、GaNやBPなど他の方法では得られない高品質な結晶を作製することができます。
- 成膜速度は速く、通常は毎分数ミクロン、場合によっては毎分数百ミクロンです。液相エピタキシー(LPE)や分子線エピタキシー(MBE)など他の成膜法とは比べものにならない、均一な組成のコーティングを同時に大量に成膜することが可能です。
- 作業条件は常圧または低真空条件下で行われるため、コーティングの回折性が良好で、複雑な形状のワークピースでも均一にコーティングでき、PVD に比べてはるかに優れています。
- 反応ガス、反応生成物、基材の相互拡散により、耐摩耗性や耐腐食性の皮膜などの表面強化皮膜の作製に重要な密着強度の高い皮膜が得られます。
- 一部のフィルムは、フィルム材料の融点よりもはるかに低い温度で成長します。低温成長条件下では、反応ガスと反応炉壁およびそれらに含まれる不純物とがほとんど反応しないため、高純度で結晶性の良い膜が得られる。
- 化学気相成長法では平滑な成膜面が得られます。これは、LPE と比較して、化学気相成長 (CVD) が高飽和下で行われるため、核生成率が高く、核生成密度が高く、面内均一に分布するため、巨視的に滑らかな表面が得られます。同時に、化学蒸着では、分子(原子)の平均自由行程が LPE よりもはるかに大きいため、分子の空間分布がより均一になり、滑らかな蒸着表面の形成に役立ちます。
- 金属酸化物半導体(MOS)やその他のデバイスの製造に必要な条件である放射線ダメージが低い
磁器炉の用途は何ですか?
真空誘導溶解炉とは何ですか?
PECVD とは何の略ですか?
PECVDは、プラズマを利用して反応ガスを活性化し、基板表面または表面近傍空間での化学反応を促進し、固体膜を生成する技術です。プラズマ化学蒸着技術の基本原理は、RF または DC 電場の作用下でソースガスがイオン化されてプラズマを形成し、低温プラズマがエネルギー源として使用され、適切な量の反応ガスが生成されます。を導入し、プラズマ放電を利用して反応ガスを活性化し、化学気相成長を実現します。
プラズマの発生方法により、RFプラズマ、DCプラズマ、マイクロ波プラズマCVDなどに分けられます。
CVDとPECVDの違いは何ですか?
PECVD と従来の CVD 技術の違いは、プラズマには大量の高エネルギー電子が含まれており、化学蒸着プロセスで必要な活性化エネルギーを提供できるため、反応システムのエネルギー供給モードが変化することです。プラズマ中の電子温度は 10000K と高いため、電子とガス分子の衝突により反応ガス分子の化学結合の切断と再結合が促進され、より活性な化学基が生成され、同時に反応系全体がより低い温度を維持します。
したがって、CVD プロセスと比較して、PECVD は同じ化学気相成長プロセスをより低い温度で実行できます。
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