化学気相成長法（CVD）は、さまざまな基板上に薄膜を形成するための複雑なプロセスである。
CVD反応の5つの主要ステップ
1) 前駆体化学物質の導入
前駆体化学物質をCVDリアクターに投入する。
これらの化学物質は、目的の薄膜を形成するために反応する出発物質である。
2) 前駆体分子の輸送
リアクター内で前駆体分子を基板表面に輸送する必要がある。
これは通常、流体輸送と拡散の組み合わせによって達成される。
3) 基板表面への吸着
基板表面に到達した前駆体分子は、次に吸着を受けなければならない。
吸着とは、これらの分子が基質表面に付着することを指す。
このステップは、その後の反応が起こるために非常に重要である。
4) 化学反応
いったん吸着すると、前駆体分子は基板表面と反応して目的の薄膜を形成する。
これらの反応は、均質な気相反応である場合と、加熱された基板表面上/表面近傍で起こる不均質な反応である場合がある。
5) 副生成物の脱離
化学反応中に副生成物分子が形成される。
これらの副生成物は、基材表面から脱着され、より多くの前駆体分子を受け入れるスペースを確保する必要がある。
脱離とは、これらの分子を気相に放出することである。
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