単層グラフェンは、主に化学気相成長法（CVD法）で製造される。
この方法では、温度、ガスフロー、圧力などの特定の条件下で、銅箔などの基板上に炭素原子を制御しながら蒸着させる。
このプロセスでは、欠陥を最小限に抑えた均一なグラフェンの単層が形成されるよう、細心の注意が払われる。
5つの主要ステップ
1.CVDプロセスのセットアップ
グラフェン合成のCVDプロセスでは通常、ガス源としてメタン（CH4）と水素（H2）を使用する。
これらのガスは、銅箔が基板となるCVDリアクターに導入される。
銅が選ばれる理由は、炭素に対する溶解度が高く、グラフェンの形成に役立つからである。
2.温度とガスの流量制御
リアクター内の温度は慎重に制御され、多くの場合摂氏900度から1000度の範囲である。
この高温により、メタンは炭素原子と水素原子に解離しやすくなる。
水素は還元剤として働き、炭素原子は銅の表面に沈着する。
ガスの流量も重要で、炭素析出速度と形成されるグラフェンの品質に影響を与える。
3.グラフェンの形成
炭素原子が銅に析出すると、グラフェンに特徴的な六角形の格子構造に整列する。
プロセスは、グラフェンの単層のみが形成されるように制御される。
これは、冷却速度とプロセス全体のパラメーターを最適化し、追加層の形成を防ぐことで達成される。
4.多層グラフェンの選択的除去
単層グラフェンの純度を確保するために、銅箔に包まれた炭素吸着タングステン（W）箔を使用するなどの技術が採用されている。
この方法では、2層または3層のグラフェンを選択的に除去し、単層グラフェンはそのまま残すことができる。
5.目的の基板への転写
グラフェンを成長させた後、さまざまな用途のために他の基板にグラフェンを転写する必要が生じることが多い。
この転写プロセスは、欠陥や汚染物質の混入を避けるために慎重に行う必要がある。
アプリケーションの要件に応じて、溶解基板転写や分離基板転写などの技術が使用される。
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