CVD（化学気相成長法）は、いくつかの重要な利点があるため、しばしばPVD（物理気相成長法）よりも優れていると考えられている。第一に、CVDはPVDよりも高圧で作動するため、高真空ポンプが不要になり、システムが有毒ガスの大規模なガス管理を必要としない場合はコストを削減できる。この高い圧力とCVDの層流特性が相まって、非直視下での成膜が可能になり、不規則な表面や高密度に配置された基板上にコンフォーマル膜を成膜することができる。
CVDのもうひとつの大きな利点は、比較的高い蒸着速度で高純度かつ高密度の膜や粒子を製造できることである。この能力は、均一なコーティングと高純度が要求される用途にとって極めて重要である。CVDはまた、金属薄膜、セラミック薄膜、半導体薄膜など、さまざまな材料を成膜できる汎用性にも優れている。
しかし、CVDには、蒸気圧、核生成、成長速度が変動するため多成分材料の合成が難しく、組成が不均一になりやすいといった欠点もある。さらに、熱活性化CVDプロセスは、揮発性、有毒性、または発熱性の前駆物質を含む場合がある。
対照的に、PVDコーティングは耐久性と耐腐食性で知られているが、視線蒸着によって制限されることが多く、超高真空条件を必要とするため、コストがかかり、維持するのが技術的に困難な場合がある。
まとめると、CVDは、非直視蒸着、高純度、材料蒸着の多様性が重要なシナリオでは、PVDよりも好ましい。経済的な利点と高真空条件の必要性の低減は、多くの用途におけるCVDの魅力をさらに高めている。
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