PVD（Physical Vapor Deposition）とCVD（Chemical Vapor Deposition）の違いを理解することは、薄膜蒸着プロセスに携わる者にとって非常に重要です。
4つの主な違いを説明
1.プロセスのメカニズム
PVD（物理蒸着）： PVDは物理的な力を使って基板上に薄膜を蒸着させる。
CVD（Chemical Vapor Deposition）：化学気相成長法： CVDは化学的プロセスを利用して同じ目標を達成する。
2.成膜方法
PVD（Physical Vapor Deposition）： PVDでは、誘導結合プラズマ（ICP）などの方法を用いて、ガスからプラズマを発生させる。ガスはイオン化され、高エネルギーレベルまで励起され、ガス分子が原子に解離します。これらの原子は基板上に蒸着され、そこで凝縮して薄膜を形成する。
CVD（化学気相成長法）： CVDは、まずガスを反応室に導入し、そこでウェハーのような固体材料と化学反応させて薄膜を作る。CVDの特徴は、基板表面で起こる化学反応である。
3.成膜の特徴
PVD（物理蒸着）： このプロセスの特徴は、ライン・オブ・サイト蒸着、つまりソースから基板に直接蒸着することである。これは、凹凸のある表面での厚みや均一性に影響することがある。
CVD（化学気相成長法）： CVDの蒸着はガスが流動している状態で行われるため、拡散性の多方向蒸着となる。これは、複雑な表面や凹凸のある表面のコーティングに有利である。
4.用途と材料特性
PVD（物理蒸着）： PVDは物理的プロセスと視線蒸着に依存する。
CVD（Chemical Vapor Deposition）：化学気相成長法： CVDは化学反応を伴い、より拡散的で多方向の蒸着プロセスである。これらの違いは、蒸着可能な材料の種類、プロセスが適用される条件、生成されるコーティングの特性に影響します。
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