半導体における蒸発は、薄膜堆積技術のひとつで、原料を高温に加熱して蒸発または昇華させて蒸気にする。この蒸気が基板上で凝縮し、材料の薄い層が形成される。このプロセスは通常、蒸着膜の純度と完全性を確保するために高真空中で行われる。
詳しい説明
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加熱と蒸発：
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このプロセスは、原料を蒸発点まで加熱することから始まる。これは、電子ビーム蒸発や熱蒸発など、さまざまな方法で行うことができる。電子ビーム蒸発では、高電荷の電子ビームを使用して材料を加熱し蒸発させる。熱蒸発では、材料から蒸気圧を発生させるために抵抗加熱が採用される。真空環境：
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蒸発は高真空環境で行われる。この真空は、気体の衝突や蒸発材料との不要な反応を最小限に抑えるため、非常に重要である。また、蒸気粒子の平均自由行程を長く保つことができるため、大きな干渉を受けることなく基板に直接到達することができます。
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基板への蒸着
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蒸発した材料は蒸気の形で移動し、基板上に堆積する。基板は通常、均一な析出を確実にするため、ソース材料に対して特定の距離と向きに保たれる。蒸気が低温の基板に到達すると、凝縮して固体に戻り、薄膜が形成される。制御と調整：
蒸着膜の厚さと質は、蒸発剤の温度、蒸着速度、蒸発剤と基板間の距離など、いくつかのパラメータを調整することによって制御することができる。この制御は、蒸着膜に所望の特性を得るために不可欠であり、半導体の用途では極めて重要である。
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