CVD（化学気相成長法）は、基板上に材料を蒸着させて薄膜を作るプロセスである。これは、気相からの化学反応によって達成され、特定の特性を持つ幅広い薄膜材料の成膜を可能にする。このプロセスは通常、基板と反応分子を含むガスまたは蒸気が入ったチャンバー内で行われる。
CVDプロセスの概要
CVDは、ガス状反応物の活性化とそれに続く化学反応を伴い、適切な基板上に安定した固体堆積物を形成する。化学反応に必要なエネルギーは、使用されるCVDのタイプ（熱、レーザー支援、プラズマ支援）に応じて、熱、光、放電などさまざまなソースから供給される。成膜プロセスには、均質な気相反応と不均質な化学反応の両方が含まれ、その結果、粉末や膜が形成される。
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詳しい説明気相反応物質の活性化：
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CVDの最初のステップは、気体反応物の活性化である。これらの反応物は通常、ガスまたは蒸気の形で成膜室に導入される。活性化プロセスでは、化学反応を開始するのに必要なエネルギーを供給する。このエネルギーは、使用されるCVDの種類によって、熱（熱）、光（光）、電気（プラズマ）のいずれかになる。
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化学反応：
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反応物が活性化されると、化学反応が起こる。この反応は、気相で起こることもあれば（均一反応）、基板表面で起こることもある（不均一反応）。反応のタイプは、チャンバー内の条件と反応物の性質に依存する。安定した固体堆積物の形成：
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これらの化学反応の生成物は、基板上に安定した固体堆積物を形成する。この堆積物がCVDプロセスの最終成果物である薄膜材料である。この薄膜の厚さ、均一性、組成などの特性は、温度、圧力、反応ガスの組成などのプロセス・パラメーターを調整することで制御できる。
CVDプロセスの種類
