薄膜半導体は、導電性材料、半導体材料、絶縁材料の薄い層を積み重ねたものである。これらの材料は、多くの場合シリコンや炭化ケイ素でできた平らな基板上に堆積され、集積回路やディスクリート半導体デバイスを作る。薄膜半導体に使われる主な材料には、以下のようなものがある：
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半導体材料:薄膜の電子特性を決定する主要材料である。例えば、シリコン、ガリウムヒ素、ゲルマニウム、硫化カドミウム、テルル化カドミウムなどがある。これらの材料は、トランジスタ、センサー、光電池などのデバイスの機能にとって極めて重要である。
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導電性材料:これらの材料は、デバイス内の電気の流れを促進するために使用されます。一般的に薄膜として成膜され、電気的接続や接点を作ります。例えば、太陽電池やディスプレイに使用されるITO（酸化インジウム・スズ）などの透明導電性酸化物（TCO）などがある。
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絶縁材料:これらの材料は、デバイスの異なる部分を電気的に絶縁するために使用されます。不要な電流が流れるのを防ぎ、デバイスが意図したとおりに動作することを保証するために極めて重要です。薄膜半導体に使用される一般的な絶縁材料には、さまざまな種類の酸化膜があります。
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基板:薄膜を堆積させる基材。一般的な基板には、シリコンウェーハ、ガラス、フレキシブル・ポリマーなどがある。基板の選択は、用途とデバイスに求められる特性によって決まる。
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追加レイヤー:特定の用途に応じて、薄膜スタックに他の層を含めることができる。例えば太陽電池では、光の吸収を最適化するためにn型半導体材料からなる窓層が使用され、発生した電流を集めるために金属コンタクト層が使用される。
薄膜半導体の特性と性能は、使用する材料と成膜技術に大きく依存する。化学気相成長法（CVD）、物理気相成長法（PVD）、エアロゾルデポジションなどの最新の成膜技術では、膜厚や組成を精密に制御できるため、複雑な形状や構造を持つ高性能デバイスの製造が可能です。
要約すると、薄膜半導体は、半導体材料、導電性材料、絶縁材料、基板、特定の用途に合わせた追加層など、さまざまな材料を利用している。これらの材料とその成膜を正確に制御することは、高度な電子デバイスの開発にとって極めて重要です。
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