プラズマ活性化化学気相成長法（PACVD）は、化学気相成長法（CVD）の中でも、プラズマを利用してガスの化学反応性を高め、低温での薄膜形成を可能にする技術である。この方法では、グロー放電によって基板表面付近のガスをイオン化し、反応ガスを活性化させ、熱化学反応とプラズマ化学反応の両方を促進させる。
プロセスの概要
PACVDは、基板が置かれた低圧チャンバーに反応ガスを導入することで作動する。ガスは、通常、高周波、直流高電圧、パルス、またはマイクロ波励起によって刺激されるグロー放電によってイオン化される。このイオン化によってガスが活性化され、従来のCVD法よりも低温で化学反応を起こすことができる。熱化学反応とプラズマ化学反応の複合効果により、基板上に薄膜が形成される。
-
詳しい説明ガスの活性化：
-
PACVDシステムでは、反応ガスが1～600 Paの圧力でチャンバー内に導入される。基板は陰極に置かれることが多く、特定の温度に維持される。グロー放電が開始され、基板表面付近のガスがイオン化され、化学反応性が高まる。化学反応：
-
活性化されたガスは、CVDプロセスに典型的な熱化学反応と、PACVD特有のプラズマ化学反応の両方を起こす。これらの反応は、イオン、自由電子、ラジカルを含むプラズマの高エネルギーによって促進される。この二重メカニズムにより、密度や密着性などの特性を制御した成膜が可能になる。利点
-
PACVDは、従来のCVDに比べ、成膜温度が低い、基板特性への影響が少ない、高密度でピンホールのない膜を形成できるなど、いくつかの利点がある。また、金属膜、無機膜、有機膜など、さまざまな種類の膜を成膜できる汎用性がある。用途
PACVDは、低温で成膜でき、膜特性を正確に制御できるため、半導体製造から医療機器や器具のコーティングまで、幅広い用途に適している。訂正とレビュー
