PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) は、プラズマを利用して前駆体ガスを活性化・細分化し、固体基板上に薄膜を成膜する低温真空成膜プロセスです。この技術は、従来のCVD（Chemical Vapor Deposition）プロセスで必要とされる高温に耐えられない表面をコーティングできるため、半導体産業で特に重宝されています。
プロセスの概要
PECVDでは、前駆体ガスが蒸着チャンバーに導入され、そこでプラズマにさらされる。放電によって発生したプラズマは、前駆体分子をイオン化し、反応種に分解する。この反応種が基板上に堆積し、薄膜が形成される。PECVDプロセスの温度は通常200℃以下であるため、プラスチックや低融点金属のような温度に敏感な材料のコーティングが可能である。利点と応用
PECVDの主な利点のひとつは、特定の特性を持つ前駆体を選択することで、コーティングの特性をカスタマイズできることです。このカスタマイズは、優れた耐摩耗性と低摩擦係数で知られる硬質ダイヤモンドライクカーボン（DLC）コーティングの作成など、さまざまな用途で極めて重要です。PECVDはまた、エレクトロニクス産業において、従来のCVDよりも低温で絶縁体、半導体、導体を成膜し、基材の完全性を維持するためにも使用されている。
従来のCVDとの比較
化学反応を熱に頼る従来のCVDとは異なり、PECVDはプラズマを使って化学反応を開始し、持続させる。この活性化メカニズムの違いにより、PECVDは大幅に低い温度で作動することができ、適用できる基材の範囲が広がり、コーティングプロセスの汎用性が高まります。
技術的詳細
