マグネトロンスパッタリングが他のスパッタリング法と異なる主な理由は、磁場を利用してスパッタリングプロセスを強化し、成膜速度の向上と膜質の改善につなげることにある。この方法では、ターゲット表面付近に電子を閉じ込めるため、イオン密度が高まり、スパッタリングプロセスの効率が向上する。
効率と成膜速度の向上：
マグネトロンスパッタリングは、電界と磁界の両方を利用して粒子をターゲット表面付近に閉じ込める。この閉じ込めによってイオン密度が高まり、ターゲット材料から原子が放出される速度が向上する。直流マグネトロンスパッタリングにおけるスパッタリング速度の公式は、イオン束密度、ターゲット材料の特性、磁場の構成など、この速度に影響を与える要因を浮き彫りにしている。磁場が存在することで、一般的に高い圧力と電圧を必要とする従来のスパッタリング法に比べて、より低い圧力と電圧でスパッタリングプロセスを操作することができる。マグネトロンスパッタリング技術の種類：
マグネトロンスパッタリングには、直流（DC）マグネトロンスパッタリング、パルスDCスパッタリング、高周波（RF）マグネトロンスパッタリングなど、いくつかのバリエーションがある。これらの技法にはそれぞれ独自の特徴と利点がある。例えば、直流マグネトロンスパッタリングでは、直流電源を使用してプラズマを発生させ、これをターゲット材料のスパッタリングに使用する。このセットアップの磁場は、スパッタリング速度を高め、スパッタリングされた材料を基板上により均一に堆積させるのに役立つ。
電子とプラズマの閉じ込め：
