銅からグラフェンを移動させることは、多くの研究や産業応用において極めて重要なステップである。
グラフェンの移動にはいくつかの方法があり、それぞれに利点とプロセスがある。
4つの重要な方法を説明する
1.化学エッチング
ポリメチルメタクリレート（PMMA）などの支持ポリマー層をグラフェンの上に塗布する方法がある。
その後、PMMAでコーティングしたグラフェンを特定の温度で焼成し、溶媒を蒸発させる。
その後、銅（または他の触媒金属）エッチング液を使って銅基板を除去し、グラフェン／PMMA膜を残す。
その後、脱イオン水でフィルムを洗浄し、目的の基板上に転写する。
最後に、水蒸気が蒸発した後にアセトンでPMMAを除去し、グラフェン膜のみを目的の基板上に残す。
2.電気化学的剥離
グラフェン膜を銅基板から電気化学的に剥離する方法もある。
これは、化学気相成長（CVD）プロセスにおいて、グラフェンと銅基板の間に酸化銅層を介在させることで可能である。
酸化銅層は、グラフェンと銅基板との間の静水圧圧縮を減少させる弱いバリアとして機能し、グラフェン膜の除去を容易にする。
3.溶解基板転写
この転写法では、エッチング液で基板を溶解してグラフェン膜を分離する。
銅などの触媒金属基板を用い、グラフェン膜を残して適切なエッチャントで溶解することで行うことができる。
基板を溶解して転写する方法は、基板を再利用できるためコスト効率が高い。
4.分離基板転写
この転写法では、グラフェン膜を機械的または電気化学的に基板から分離する。
グラフェンの上にキャリアフィルムを貼り付け、機械的に基板から剥がすことで行うことができる。
あるいは、グラフェン膜を基板から分離するために電気化学的手法を用いることもできる。
分離した基板は再利用できるため、費用対効果も高い。
これらの方法に加え、科学者たちは、転写プロセスを改善し、より高品質なグラフェンを作成するための新しい技術を継続的に研究開発している。
例えば、グラフェン成長プロセスの前に銅基板を処理することで、触媒活性を低下させ、表面形状を改善することができる。
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