化学気相成長法（CVD）は、化学反応によって薄膜材料を気相から堆積させるプロセスである。この方法は、半導体、絶縁体、金属、有機物など、マイクロエレクトロニクスやオプトエレクトロニクスデバイスの製造、各種コーティングに欠かせないさまざまな薄膜を作るために採用されている。製造される薄膜はエピタキシャル、多結晶、アモルファスのいずれでもよく、蒸着は選択的または非選択的で、ホモまたはヘテロエピタキシャルが含まれる。
プロセスステップ
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前駆体化合物の蒸発： 最初のステップでは、蒸着する材料の揮発性化合物を蒸発させる。この化合物は通常ガスまたは蒸気であり、蒸着チャンバーに導入される。
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熱分解と化学反応： 蒸気は熱分解を受けて原子や分子になったり、基板表面で他の気体、蒸気、液体と反応したりする。このステップでは、高温（約1000℃）、数torrから大気圧以上の圧力など、特定の条件が必要となる。
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基板への蒸着： 前段階の不揮発性反応生成物を基板上に蒸着し、薄膜を形成する。この薄膜の組成、厚さ、微細構造などの特性は、用途に応じた性能を発揮するために極めて重要である。
分類と用途
CVDは、化学反応を伴わないスパッタリング、蒸発、昇華などの物理的プロセスを伴う物理蒸着（PVD）法とは区別される。CVDとPVDの目的は、化学的、機械的、電気的、光学的特性を制御し、再現性のある膜を成膜することである。
CVDはその精度と制御性で特に注目されており、非常に特殊な特徴や特性を持つ薄膜を作ることができる。CVDは、半導体製造、薄膜太陽電池、工具やその他の工業製品のコーティングに広く使われている。このプロセスは、さまざまな化学物質や前駆体に適応可能であるため、さまざまな用途や将来の技術進歩に汎用性がある。
