単層カーボンナノチューブ（SWCNT）を合成するために主に使用される方法は、化学気相成長法（CVD）です。CVDは、カーボンナノチューブ（CNT）の商業的生産に最も開発され、一般的に採用されている技術である。CVDは、ナノチューブの直径、長さ、形態を制御する点で、より柔軟性がある。
CVDは、触媒の存在下で炭化水素または炭素含有ガス前駆体を熱分解する。このプロセスでは、高い費用対効果と環境への影響の抑制を達成するために、気相転位と触媒析出が必要となる。触媒CVD（CCVD）は、その構造制御のしやすさと費用対効果の高さから、純粋なCNTの大規模合成に特に有利である。
カーボンナノチューブの合成を成功させるためには、CVDプロセスにおける操作パラメータの選択が極めて重要である。温度、炭素源濃度、滞留時間などの因子は、ナノチューブの生産性と品質を決定する上で重要な役割を果たす。これらのパラメーターを最適化することは、望ましい特性を達成し、エネルギー消費と材料所要量を削減するために不可欠である。
CVD は SWCNT 合成の主流であるが、レーザーアブレーションやアーク放電な どの他の手法も過去に用いられてきた。しかし、CVD が最も効果的で、商業生産に広く採用されていることが証明されています。
CVD は、SWCNT の合成に限らず、フラーレン、 カーボンナノファイバー（CNF）、グラフェン、 カーバイド由来カーボン（CDC）、カーボンナ ノイオン（CNO）、MX エンなど、他のカーボンナ ノマテリアルの合成にも利用できることは注目に値する。しかし、SWCNT合成の観点からは、CVDがその汎用性と拡張性から選択される方法です。
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