スパッタプロセスの限界をまとめると、以下のようになります：
1) スパッタリングできるのは導電体のみである： スパッタリングプロセスでは、スパッタリングプロセスを停止させるために対向電界を形成する必要がある。つまり、スパッタリングできるのは電気を通す材料だけである。電気を通さない材料は対向電界を形成できないため、スパッタリングできない。
2) 低いスパッタリングレート： スパッタリングプロセスでは、わずかなアルゴンイオンしか形成されないため、スパッタリングレートが低くなる。このため、成膜プロセスの効率と速度が制限される。
3) 膜構造化のためのリフトオフとの組み合わせが難しい： スパッタリングの特徴である拡散輸送により、蒸着プロセス中の原子の行き先を完全に制限することは困難である。このことは汚染問題につながり、スパッタリングと膜構造化のためのリフトオフ技術を組み合わせることを困難にしている。
4) 汚染と不純物の導入： スパッタリングでは、不活性スパッタリングガスが成長膜に組み込まれるため、基板に不純物が混入する可能性がある。これは成膜の品質や純度に影響を与える可能性がある。
5) 高額な設備投資： スパッタリング・プロセスは高額の資本経費を必要とするため、予算に制約のある用途や業界によっては制約となる場合がある。
6) 材料によっては成膜速度が低い： SiO2などの一部の材料は、スパッタリングによる成膜速度が比較的低い。こ の た め 、こ の よ う な 材 料 に 対 す る ス パッタリングプロセスの効率と生産性が制限される場合がある。
7) 有機固体の分解： 有機固体は、スパッタリングプロセス中のイオン衝撃によって容易に分解される。こ の た め 、こ れ ら の 材 料 に 対 す る ス パ ッ タ リ ン グ の 適 用 は 制 限 さ れ る 。
これらの限界に加え、スパッタリングプロセスには、膜の緻密性が向上する、基板上の残留応力が低減する、原材料と比較して蒸着膜の濃度が同程度になるなどの利点もあることは特筆に値する。しかし、上記の限界は、特定の用途にスパッタリングプロセスを最適化するために考慮し、対処する必要がある要因である。
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