知識 RFスパッタリングのパラメータとは?4つのキーファクターを解説
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技術チーム · Kintek Solution

更新しました 1 month ago

RFスパッタリングのパラメータとは?4つのキーファクターを解説

RFスパッタリングは特殊なコーティングプロセスであり、効率的で高品質な薄膜成膜を実現するためにいくつかの重要なパラメータが必要となります。

4つのキーファクターの説明

RFスパッタリングのパラメータとは?4つのキーファクターを解説

電源と電圧

RFスパッタリングは交流電源を使用する。

この電源は13.56 MHzの特定の周波数で作動する。

この周波数は、ターゲット材料への電荷蓄積を防ぐのに役立つ。

ピーク間電圧は1000 Vに設定されている。

この電圧はプラズマを維持し、効率的なスパッタリングを行うために不可欠である。

電子密度とチャンバー圧力

RFスパッタリングにおける電子密度は、10^9 ~ 10^11 cm^-3の範囲である。

こ れ ら の 密 度 は 、ガ ス の 電離およびスパッタリングプロセス全体の効率に影響する。

チャンバー圧力は0.5~10 mTorrに設定される。

この低い圧力は、イオン化ガスの衝突を減少させ、成膜プロセスの効率を高める。

低圧環境は、より均一で制御された成膜を達成するのに役立ちます。材料適合性と蒸着速度

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