反応性スパッタリングは、物理的気相成長（PVD）分野の特殊技術であり、ターゲット材料が反応性ガスと化学反応して基板上に化合物薄膜を形成する薄膜の成膜を伴う。このプロセスは、一般的に従来のスパッタリング法では効率的な製造が困難な化合物の薄膜を作るのに特に有用である。
回答の要約
反応性スパッタリングでは、スパッタチャンバー内で反応性ガスを使用し、ターゲット材料のスパッタ粒子と化学反応させて基板上に化合物膜を形成します。この方法は、単一元素材料に適している従来のスパッタリングと比較して、化合物膜の成膜速度を向上させる。
-
詳しい説明プロセスの概要
-
反応性スパッタリングでは、反応性ガス（酸素や窒素など）を含むチャンバー内でターゲット材料（シリコンなど）をスパッタリングする。スパッタされた粒子はこのガスと反応して酸化物や窒化物などの化合物を形成し、基板上に堆積される。このプロセスは、アルゴンのような不活性ガスが使用され、ターゲット材料が化学変化を受けることなく堆積する標準的なスパッタリングとは異なる。
-
成膜速度の向上：
-
反応性ガスの導入により、化合物薄膜の形成速度が大幅に向上する。従来のスパッタリングでは、成膜後に元素を結合させる必要があるため、化合物薄膜の形成は遅くなる。反応性スパッタリングは、スパッタリングプロセス内でこの結合を促進することで、成膜速度を加速し、化合物薄膜の製造効率を高めます。制御と構成：
不活性ガスと反応性ガスの相対圧力を調整することにより、成膜される膜の組成を精密に制御することができる。この制御は、SiNxの応力やSiOxの屈折率など、膜の機能特性を最適化するために極めて重要です。薄膜蒸着スパッタシステムは、基板の予熱ステーション、in situクリーニングのためのスパッタエッチングまたはイオンソース機能、基板バイアス機能など、さまざまなオプションで構成することができ、蒸着プロセスの品質と効率を高めることができる。
