Pecvdプロセスとは何ですか？

PECVDプロセスは、半導体製造において、従来の化学気相成長法（CVD）よりも低温で基板上に薄膜を堆積させる方法である。これは、成膜に必要な化学反応を高めるためにプラズマを使用することで達成される。

PECVDプロセスの概要

PECVDは、基板上への薄膜の成膜を促進するためにプラズマを使用する。このプロセスは低温が特徴で、通常200～400℃の範囲であり、従来のCVDプロセスで使用される425～900℃の温度よりも大幅に低い。プラズマを使用することで、このような低温で反応ガスを活性化することができ、高温でなければダメージを受ける可能性のある基板への材料堆積に適している。

詳しい説明反応性ガスの活性化
PECVDシステムでは、反応ガスが2つの電極間に導入され、一方は接地され、もう一方は高周波（RF）電力によって通電される。周波数13.56MHzのRF電力は、これらの電極間にプラズマを発生させるために使用される。このプラズマ形成は、電極間の容量性結合によるもので、これによりガスがイオン化され、衝突によって反応性の高いエネルギー種が生成される。
化学反応：
プラズマ中で生成された反応種は化学反応を起こす。これらの反応はプラズマから供給されるエネルギーによって引き起こされ、熱エネルギーだけよりも効率的である。これらの反応生成物は、基板上に薄膜として堆積される。基材への蒸着
反応種はシース（プラズマと電極の間の領域）を拡散し、基板表面に吸着する。ここで表面と相互作用し、物質の層を形成する。このプロセスは、所望の膜厚になるまで続けられる。

PECVDの利点

関連製品

プラズマ蒸着PECVDコーティング機

PECVD コーティング装置でコーティングプロセスをアップグレードします。 LED、パワー半導体、MEMSなどに最適です。低温で高品質の固体膜を堆積します。

RF PECVD システム高周波プラズマ化学蒸着

RF-PECVD は、「Radio Frequency Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition」の頭字語です。ゲルマニウムおよびシリコン基板上にDLC（ダイヤモンドライクカーボン膜）を成膜します。 3～12umの赤外線波長範囲で利用されます。

液体ガス化装置付きスライド PECVD 管状炉 PECVD 装置

KT-PE12 スライド PECVD システム: 広い出力範囲、プログラム可能な温度制御、スライドシステムによる高速加熱/冷却、MFC 質量流量制御および真空ポンプ。

傾斜回転プラズマ化学蒸着 (PECVD) 管状炉装置

精密な薄膜成膜を実現する傾斜回転式PECVD炉を紹介します。自動マッチングソース、PID プログラマブル温度制御、高精度 MFC 質量流量計制御をお楽しみください。安全機能を内蔵しているので安心です。

ラボおよびダイヤモンド成長用の円筒共振器 MPCVD マシン

宝飾品業界や半導体業界でダイヤモンド宝石やフィルムを成長させるために使用されるマイクロ波プラズマ化学蒸着法である円筒共振器 MPCVD マシンについて学びます。従来の HPHT 方式と比べて費用対効果の高い利点を発見してください。

絞り型ナノダイヤモンドコーティング HFCVD装置

ナノダイヤモンド複合コーティング引抜ダイスは、超硬合金（WC-Co）を基材とし、化学気相法（略してCVD法）を用いて従来のダイヤモンドとナノダイヤモンド複合コーティングを金型の内孔表面にコーティングする。

ラボおよびダイヤモンド成長用のベルジャー共振器 MPCVD マシン

ラボおよびダイヤモンドの成長用に設計されたベルジャーレゾネーター MPCVD マシンを使用して、高品質のダイヤモンドフィルムを取得します。炭素ガスとプラズマを使用してダイヤモンドを成長させるマイクロ波プラズマ化学気相成長法がどのように機能するかをご覧ください。

915MHz MPCVD ダイヤモンドマシン

915MHz MPCVD ダイヤモンドマシンとその多結晶効果成長、最大面積は 8 インチに達し、単結晶の最大有効成長面積は 5 インチに達します。この装置は主に、成長にマイクロ波プラズマによるエネルギーを必要とする大型多結晶ダイヤモンド膜の製造、長尺単結晶ダイヤモンドの成長、高品質グラフェンの低温成長などに使用されます。