スパッタリングと蒸着との主な違いは、材料の蒸着方法にある。スパッタリングは高エネルギーのイオンをターゲットに衝突させ、原子を剥離させて基板上に堆積させるのに対し、蒸着は原料を気化温度まで加熱して蒸気にし、基板上に凝縮させる。
スパッタリングプロセス：
物理的気相成長法（PVD）として知られるスパッタリングでは、通電されたプラズマ原子（通常は不活性なアルゴン）が使用される。これらの原子はプラスに帯電しており、マイナスに帯電したターゲット材料に向けられる。このイオンの衝撃により、ターゲット材料から原子が叩き落とされ（スパッタリング）、基板上に堆積して薄膜が形成される。このプロセスは真空中で行われ、蒸着に比べて低温で行われる。スパッタリングは、複雑な基板上でもコーティングの被覆率が高く、高純度の薄膜を製造できる点で有利である。また、磁場が閉じているため電子が捕捉されやすく、効率と膜質が向上します。蒸着プロセス：
蒸発、特に熱蒸発では、原料を気化点を超える温度まで加熱する。これによって材料は蒸気になり、基板上に凝縮して薄膜が形成される。この方法は、抵抗加熱蒸発や電子ビーム蒸発など、さまざまな手法で実現できる。高温で運動エネルギーの高いプラズマ環境で作動するスパッタリングとは異なり、蒸発は原料の温度に依存するため、一般に運動エネルギーが低く、基板が損傷するリスクが低い。
比較と応用
