グラフェンは主に、化学気相成長法（CVD）と呼ばれるプロセスによって作られる。
この方法では、金属基板、特にニッケルや銅などの遷移金属上にグラフェン膜を成長させる。
CVDプロセスでは、さまざまな用途に適した高品質で大面積のグラフェン膜を製造することができる。
5つの主要ステップ
1.金属基板の準備
プロセスは、ニッケルや銅などの適切な金属基板を選択することから始まる。
これらの金属が選ばれる理由は、グラフェンの構成要素である炭素原子の拡散と析出を促進できるからである。
2.炭素源の導入
炭素を含むガス（通常はメタン）を反応チャンバーに導入する。
ガスは高温で分解し、炭素原子を放出する。
3.グラフェンの成長
炭素原子は高温で金属基板中に拡散し、冷却過程でグラフェンとして金属表面に析出する。
このステップは、グラフェン層の形成に極めて重要である。
4.冷却と析出
温度が下がると、炭素原子は金属表面に移動し、グラフェン層を形成する。
グラフェンの質と均一性は、冷却速度と金属基板の純度によって決まる。
5.転写または直接使用
用途に応じて、グラフェンを別の基材に移したり、金属箔上に直接使用したりすることができる。
このステップでは、欠陥や汚染物質の混入を避けるため、慎重な取り扱いが要求される。
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