真空蒸着は、マイクロエレクトロニクスや製造業において、基板上に材料の薄膜を蒸着するために使用される方法である。
このプロセスでは、蒸発源として知られる固体材料を高真空環境で加熱し、溶融、蒸発、昇華させて蒸気にする。
気化した材料は次に特定の基板上に凝縮し、ソース材料の薄い層を形成する。
この方法は、能動部品、デバイス接点、金属相互接続、および抵抗器、誘電体、コンデンサ用電極などのさまざまな種類の薄膜の形成に特に有用である。
5つのポイントの説明
1.高真空環境
真空蒸着工程は通常、高真空チャンバー内で行われる。
これにより、原料が基板に移動する際のガスの衝突や不要な反応を最小限に抑えることができます。
真空条件は通常10^-5から10^-9Torrの範囲であり、蒸着膜に許容される汚染レベルに依存する。
2.ソース材料の加熱
蒸発を達成するために、原料はその蒸気圧が少なくとも10mTorrに達する温度まで加熱される。
この加熱は、1,500℃以下の温度で気化する材料の場合、抵抗加熱された撚り線、ボート、るつぼなど、さまざまな方法で行うことができる。
より高い温度で気化する材料には、高エネルギーの電子ビームが使用される。
3.視線軌道
気化した材料は視線方向に移動する。
つまり、チャンバー内の直進経路内にある表面に蒸着する。
4.マイクロエレクトロニクスへの応用
真空蒸着は、電子部品やデバイスの製造に不可欠である。
真空蒸着は、能動部品、デバイス接点、金属配線、さまざまな種類の薄膜を作成するために使用される。
5.純度と品質の確保
高真空環境と特定の加熱方法により、蒸着膜の純度と品質が保証されます。
このため、真空蒸着は現代のエレクトロニクス製造において不可欠な技術となっています。
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