マグネトロンスパッタリングは、磁場を利用してターゲット表面近傍でのプラズマ発生効率を高め、基板上への材料堆積を容易にする薄膜堆積技術である。この方法は1970年代に開発され、高速、低ダメージ、低温動作が特徴である。
プラズマ発生の強化：
マグネトロンスパッタリングにおける重要な技術革新は、ターゲット表面に閉じた磁場を加えることである。この磁場はターゲット近傍の電子を捕捉し、電子が基板に即座に引き寄せられるのではなく、磁束線に沿って螺旋状に移動するようにする。このトラップにより、電子とアルゴン原子（またはプロセスで使用される他の不活性ガス原子）の衝突確率が高まり、プラズマの発生が促進される。ターゲット表面付近のプラズマ密度が高まると、ターゲット材料のスパッタリング効率が向上する。スパッタリングのメカニズム
マグネトロンスパッタリングでは、高エネルギーイオンが電界によってターゲット材料に向かって加速される。これらのイオンはターゲットと衝突し、運動エネルギーをターゲットの原子に伝達する。伝達されたエネルギーがターゲット原子の結合エネルギーに打ち勝つのに十分であれば、これらの原子はスパッタリングとして知られるプロセスで表面から放出される。放出された材料は近くの基板上に堆積し、薄膜を形成する。
利点と応用
マグネトロンスパッタリングに磁場を使用することで、従来のスパッタリング法に比べ、より制御された効率的な成膜プロセスが可能になる。この効率性により、成膜速度が向上し、膜質が改善される。マグネトロンスパッタリングの用途は、マイクロエレクトロニクスのコーティングや材料特性の変更、製品への装飾膜の追加など多岐にわたる。
