マグネトロンスパッタリングは物理的気相成長（PVD）技術である。
磁場を利用してターゲット材料のイオン化を促進する。
これにより、基板上に薄膜が成膜される。
マグネトロンスパッタリングのメカニズムとは？
1.ガス導入とプラズマ形成
不活性ガス（通常はアルゴン）を高真空チャンバーに導入します。
ターゲット材料の近くに配置されたマグネトロンは磁場を発生させる。
この磁場が電子をターゲット表面付近に閉じ込める。
この閉じ込めにより、電子とアルゴン原子が衝突する確率が高まる。
この衝突により、アルゴンイオンと自由電子からなるプラズマが形成される。
2.イオン化とスパッタリング
ターゲット（陰極）と陽極の間に負の高電圧を印加する。
この電圧によってアルゴンガスがイオン化され、プラズマが発生する。
正電荷を帯びたアルゴンイオンは、電界によって負電荷を帯びたターゲット材料に向かって加速される。
これらの高エネルギーイオンがターゲットに衝突すると、ターゲット表面から原子が真空環境中に放出、または「スパッタリング」される。
3.基板への蒸着
ターゲット材料から放出された原子は、真空中を移動する。
基板表面に蒸着し、薄膜を形成する。
このプロセスは、均一で正確な成膜を確実にするために制御される。
マグネトロンスパッタリングは、光学的および電気的目的のための金属または絶縁コーティングの作成など、さまざまな用途に適しています。
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