DCマグネトロンの磁場スパッタリングは、DC放電のスパッタリングプロセスを強化するために磁場を使用する。この方法は、ターゲット表面近傍に電子を捕捉することによってスパッタリングプロセスの効率を高め、それによってイオン化率とスパッタリング速度を増加させる。
回答の要約
DCマグネトロンスパッタリングプロセスは、スパッタリング効率を向上させるために電界と磁界の組み合わせを利用する。磁場はターゲット表面に平行に配置され、電子を捕捉してらせん状の軌道を描かせ、ガス原子との相互作用を増大させてイオン化を促進します。これにより、ターゲットへのイオン衝突率が高まり、動作圧力を上げることなくスパッタリング速度を向上させることができる。
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詳細説明磁場構成：
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DCマグネトロンスパッタリングでは、カソードプレートの後方に追加の磁場が印加される。この磁場はターゲット表面に平行になるように設計されている。磁場線は、電子を周囲の空間に逃がすのとは対照的に、ターゲット付近に捕捉する閉じた経路を作るように配置される。
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電子への影響
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電場（ターゲット表面に垂直）と磁場の重畳により、荷電粒子、特に電子は直線ではなくサイクロイド軌道を描く。この螺旋運動は、ターゲット表面上の電子の経路長を著しく増加させ、ガス原子との衝突をより多く引き起こし、したがってイオン化率をより高くする。イオン化率とスパッタリング率の向上：
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トラップされた電子によるイオン化の増加により、ターゲット近傍のイオン密度が高くなる。これらのイオンは電界によってターゲットに向かって加速され、スパッタリングを引き起こす。磁場はイオンの質量が大きいため、イオンの動きに大きな影響を与えず、ターゲットに向かって直線的に移動し続けるため、効率的なスパッタリングが行われる。
操作上の利点：
