スパッタリングは確かに蒸着プロセスであり、具体的には物理蒸着法(PVD)の一種である。この方法は、「ターゲット」ソースから材料を放出させ、それを「基板」上に堆積させるものである。このプロセスは、プラズマまたはイオン銃からのガス状イオンなどの高エネルギー粒子からの運動量移動により、ターゲットから表面原子が物理的に放出されることを特徴とする。
詳しい説明
-
スパッタリングのメカニズム:
-
スパッタリングは、固体ターゲット材料の表面から原子を離脱させるために気体プラズマを使用することによって動作する。ターゲットは通常、基板上にコーティングする材料のスラブである。このプロセスは、制御されたガス(通常はアルゴン)を真空チャンバーに導入することから始まる。次に電気エネルギーが陰極に印加され、自立プラズマが生成される。プラズマからのイオンがターゲットに衝突し、運動量移動により原子が放出される。基板への蒸着:
-
ターゲットから放出された原子は、真空または低圧ガス環境を移動し、基板上に堆積する。真空または低圧ガス中(<5 mTorr)では、スパッタ粒子は基板に到達する前に気相衝突を起こさない。あるいは、ガス圧が高い場合 (5-15 mTorr)、高エネルギー粒子は成膜前に気相衝突によって熱化される。
-
スパッタ膜の特性:
スパッタ膜は、その優れた均一性、密度、純度、密着性で知られている。この方法によって、通常のスパッタリングによる精密な組成の合金の製造や、反応性スパッタリングによる酸化物や窒化物のような化合物の生成が可能になる。スパッタリングで放出される原子の運動エネルギーは、通常、蒸発した材料よりも高いため、基板への密着性が向上する。
スパッタリングの利点