スパッタリングは薄膜を作るのに使われる方法である。
物理的気相成長法（PVD）の一種である。
他の蒸着法とは異なり、材料は溶融しない。
その代わり、ソース材料（ターゲット）からの原子は、砲撃粒子からの運動量移動によって放出される。
この衝突粒子は通常、気体イオンである。
このプロセスにより、均一性、密度、純度、密着性に優れた薄膜を成膜することができる。
スパッタリングはボトムアップまたはトップダウンで行うことができる。
特に融点が非常に高い材料に有利である。
理解すべき5つのポイント
1.スパッタリングのプロセス
スパッタリングのプロセスでは、気体プラズマを使用して、固体のターゲット材料の表面から原子を離脱させる。
その後、これらの原子を堆積させ、基板表面に極めて薄い皮膜を形成する。
2.スパッタプロセスの流れ
スパッタリング・プロセスシークエンスは、ターゲットと基板を入れた真空チャンバー内に制御ガスを導入することから始まる。
ガスはイオン化され、プラズマが形成される。
プラズマからのイオンはターゲットに向かって加速される。
イオンはターゲット材料と衝突し、原子が放出される。
放出された原子は真空中を移動し、基板上に堆積して薄膜を形成する。
3.スパッタリングの種類
スパッタリングには、直流（DC）、高周波（RF）、中周波（MF）、パルスDC、HiPIMSなど、複数のサブタイプがある。
それぞれのタイプには適用可能性がある。
この汎用性により、スパッタリングは、導電性材料と絶縁性材料の両方のコーティングを、基本的にあらゆる基材上に非常に高い化学純度で成膜するために使用できる。
4.スパッタリングの応用
スパッタリングは再現性が高く、中規模から大規模ロットの基板に使用できる。
半導体、CD、ディスクドライブ、光学機器など、さまざまな用途に利用できる貴重な技術である。
5.スパッタリングの利点
スパッタリングは、均一性、密度、純度、密着性に優れた薄膜の成膜を可能にする。
特に融点の高い材料に有利です。
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