スパッタリングは薄膜を作るのに使われる方法で、物理的気相成長法（PVD）の一種である。他の蒸着法とは異なり、材料は溶融しない。その代わり、ソース材料（ターゲット）からの原子は、通常は気体イオンであるボンバーディング粒子からの運動量移動によって放出される。このプロセスにより、均一性、密度、純度、密着性に優れた薄膜を成膜することができる。スパッタリングはボトムアップでもトップダウンでも可能で、特に融点の高い材料に有利である。
スパッタリングのプロセスでは、ガス状プラズマを使用して、固体のターゲット材料の表面から原子を離脱させる。その後、これらの原子を堆積させ、基板表面に極めて薄いコーティングを形成する。スパッタリングの一連のプロセスは、ターゲットと基板を入れた真空チャンバーに制御ガスを導入することから始まる。ガスはイオン化され、プラズマが形成される。プラズマからのイオンはターゲットに向かって加速され、ターゲット材料と衝突して原子が放出される。放出された原子は真空中を移動し、基板上に堆積して薄膜を形成する。
スパッタリング自体には、直流（DC）、高周波（RF）、中周波（MF）、パルスDC、HiPIMSなど複数のサブタイプがあり、それぞれに適用可能性がある。この汎用性により、スパッタリングは、導電性材料と絶縁性材料の両方のコーティングを、基本的にあらゆる基板上に非常に高い化学純度で成膜するために使用できる。このプロセスは再現性が高く、中・大バッチの基板に使用できるため、半導体、CD、ディスクドライブ、光学機器など、さまざまな用途で利用価値の高い技術となっている。
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