CNT成長の触媒は金属であり、典型的にはニッケルのような遷移金属である。
この金属触媒は基板上に蒸着される。
Hofmannら（2003）の研究では、シリコン上に6nmのニッケル層を形成している。
触媒は化学気相成長（CVD）プロセスにおいて重要な役割を果たす。
特にプラズマエンハンストCVD（PECVD）の場合、炭化水素ガス（アセチレンなど）の分解と、それに続くカーボンナノチューブの成長を促進する。
金属触媒は、炭化水素ガスを炭素原子に分解してナノチューブを形成することにより、CNTの成長を開始させる。
触媒粒子（凝集、偏析、移動）は、プラズマ化学、電界効果、表面化学を含む様々な要因の影響を受ける。
触媒粒子のサイズと密度は、CNTの直径と密度に大きく影響する。
PECVDプロセスでは、触媒は炭化水素ガスの分解を促進するだけでなく、CNTの核生成と成長も制御する。
触媒の効果は、その前処理、基材の性質、金属の下地層や拡散バリアの有無によって影響を受ける。
例えば、Hofmannらの研究では、ニッケル触媒を使用することで、比較的低温（120℃）で垂直配向ナノファイバーを成長させることができた。
これは、CNT成長に通常必要とされる温度よりもかなり低い。
さらに、触媒の役割は成長プロセスの最適化にも及んだ。
原料の性質、流量、圧力、基材温度などのパラメーターが重要である。
これらのパラメータを調整することで、滞留時間を制御することができ、ひいては炭素源の蓄積とCNTの成長速度に影響を与える。
まとめると、CVDやPECVDにおけるCNT成長の触媒は金属であり、一般的にはニッケルなどの遷移金属が基板上に堆積される。
この触媒は、炭化水素ガスの分解とその後のカーボンナノチューブの成長に不可欠である。
その効果は、さまざまなプロセスパラメーターやプラズマ環境との相互作用によって左右されます。
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