化学気相成長法（CVD）は、基板上に薄膜を作成するために使用される複雑なプロセスです。
CVDの6つのステップとは？
1.前駆体化学物質の導入
CVDプロセスの最初のステップは、前駆体化学物質をCVDリアクターに導入することです。
この前駆体化学物質は、化学反応を起こして基板上に目的の薄膜を形成する反応ガスである。
2.前駆体分子の輸送
リアクター内に入った前駆体分子は、基板表面に輸送される必要がある。
この輸送は通常、流体輸送と拡散の組み合わせによって達成される。
3.基板表面への吸着
次に、前駆体分子は基板表面に吸着する。
吸着とは、これらの分子が基板表面に付着することを指す。
4.化学反応
吸着した前駆体分子は、基材と化学反応を起こし、目的の薄膜を形成する。
これらの反応は、基材表面またはそのごく近くで起こる。
5.副生成物の脱着
化学反応が起こると、副産物分子が形成される。
これらの副生成物分子は、基板表面から脱離し、より多くの前駆体分子を受け入れるスペースを作る必要がある。
脱離とは、これらの分子を表面から放出することである。
6.副生成物の排出
反応のガス状副生成物は、反応チャンバーから排出される。
これは、蒸着プロセスのクリーンな環境を維持するために必要である。
CVDプロセスは、大気圧CVD、低圧CVD、超高真空CVDなど、さまざまな条件下で行われることに注意することが重要である。
さらに、プラズマエンハンスドCVD、レーザーアシストCVD、フォトアシストCVDなど、CVDにはさまざまな分類やバリエーションがあり、反応ガスを活性化するためのエネルギー源が異なります。
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