物理的気相成長法(PVD)はトップダウン プロセスである。このことは、PVDプロセス、特に熱蒸発法の説明から明らかであり、蒸着される材料は、真空チャンバー内で気化するまで加熱され、その後、ソース材料の上に配置された基板上に凝縮する。
トップダウンの性質の説明:
PVD、特に熱蒸着の場合、プロセスは真空チャンバーの底にある固体材料から始まる。この材料は蒸気圧に達するまで加熱され、蒸気雲を形成する。その後、蒸気は上昇し、一般的にソースの上に配置されている基板上に堆積する。ソースから基板への蒸気のこの上昇移動は、材料がバルクソース(固体材料)から取り除かれ、表面(基板)に堆積するトップダウンアプローチを示している。ボトムアップ法との比較:
これとは対照的に、化学気相成長法(CVD)や原子層堆積法(ALD)のようなボトムアップ法では、基板表面に原子または分子単位で材料を作り上げる。これらの方法では、膜の成長は基板上の原子または分子レベルで開始されるため、バルクソースから材料を取り出して基板上に堆積させるPVDプロセスとは根本的に異なる。
結論