スパッタリングで磁石を使用するのは、主にターゲット近傍のプラズマの電離を促進し、スパッタ率を高め、プラズマを低圧で維持できるようにするためである。これは、磁場を用いてターゲット近傍の二次電子を捕捉し、電子が磁力線の周りにらせん状の経路をたどり、中性ガス分子とより多くの電離衝突を起こすことによって達成される。
プラズマイオン化の促進：
磁場が電子をターゲット表面付近に捕捉し、電子が離れて基板に衝突するのを防ぐ。その代わり、これらの電子は磁場によって決められた複雑な経路をたどり、中性ガス分子と衝突してイオン化する可能性が大幅に高まります。このプロセスにより、ターゲット近傍のイオン濃度が高くなり、ターゲット材料の浸食と基板への堆積が加速される。低圧動作：
マグネトロンスパッタリングに磁石を使用することで、システムを低圧で作動させることができる。磁場によってターゲット近傍のイオン化が促進されるため、プラズマを維持するために必要なガス分子が少なくなるからである。必要なガス圧力の低減は、高真空レベルの維持に伴う運用コストと複雑さを軽減するため有益である。
基板の保護
磁場によって電子とイオンの動きを制御することで、基板がイオン砲撃にさらされることが少なくなる。デリケートな材料を扱う場合や、高品質の表面仕上げが要求される場合には特に重要です。
材料アプリケーションの多様性：
