化学蒸着、特に化学気相成長法（CVD）は、気体状の前駆物質を含む一連の化学反応によって基板上に固体膜を形成するプロセスである。この方法は、半導体産業や高品質の薄膜を製造する上で極めて重要である。このプロセスには通常、いくつかの重要なステップが含まれる：
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蒸発と輸送:最初のステップでは、蒸着する物質である揮発性化合物を蒸発させる。この蒸発した物質は、効率的な搬送を確実にするため、しばしば真空条件下で基板に搬送される。
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吸着と表面反応:ガス状物質が基板に到達すると、その表面に吸着する。ここで熱分解を受けたり、存在する他のガスと反応したりして、表面に原子や分子が形成される。
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表面拡散と核生成:吸着した化学種は表面を拡散し、適切な成長部位を見つける。核生成は、これらの吸着種がクラスター化することで起こり、膜の形成を開始する。
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膜の成長と脱離:より多くの化学種が結合すると、膜は成長する。同時に、ガス状の副生成物や未反応の前駆体は表面から脱離し、基板から輸送される。
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不揮発性生成物の蒸着:不揮発性反応生成物は基板上に蓄積し、固体膜を形成する。この析出には、高温（約1000℃）、数torrから大気圧以上まで変化する圧力など、特定の条件が必要である。
CVDプロセスは汎用性が高く、珪化物、金属酸化物、硫化物、砒化物など幅広い材料を蒸着することができる。生成される高品質フィルムは、エレクトロニクス、光学、その他のハイテク産業での用途に不可欠です。
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