技術チーム · Kintek Solution

スパッタリングは物理的気相成長（PVD）プロセスであり、高エネルギー粒子（典型的にはイオン）による砲撃によって、原子が固体ターゲット材料から放出される。このプロセスは、基板上に薄膜を堆積させるために使用され、コーティングや材料改質のために様々な産業で重要な技術となっている。

スパッタリングプロセスのメカニズム

1. セットアップと初期化

2. プロセスは真空チャンバー内で開始され、制御ガス（通常はアルゴン）が導入される。蒸着される原子の供給源であるターゲット材料は負に帯電しており、陰極として機能する。このセットアップは、プラズマ環境を作り出すために必要である。プラズマの生成

3. 陰極は通電され、自由電子が放出される。これらの電子はアルゴンガス原子と衝突し、アルゴンイオンとさらなる自由電子に電離する。このイオン化プロセスにより、荷電粒子の混合物であるプラズマが維持される。

4. イオン砲撃：

5. 正電荷を帯びたアルゴンイオンは、電界によって負電荷を帯びたターゲット（陰極）に向かって加速される。これらのイオンがターゲット表面に衝突すると、その運動エネルギーがターゲット原子に伝達される。原子の放出：

• イオンが伝達するエネルギーが十分であれば、ターゲット原子の結合エネルギーに打ち勝ち、原子が表面から放出される。この放出は、ターゲット材料内での運動量移動とその後の衝突によるものである。基板への蒸着：
• 放出された原子は直線状に移動し、放出された粒子の通り道に置かれた近くの基板上に堆積する。その結果、基板上にターゲット材料の薄膜が形成される。
• スパッタリングに影響を与える要因：入射イオンのエネルギー：

入射イオンのエネルギー：入射イオンのエネルギーが高いほど、ターゲット材 料に深く浸透し、原子が放出される可能性が高くなる。入射イオンとターゲット原子の質量：

イオンとターゲット原子の質量は運動量移動効率に影響する。