DCマグネトロンスパッタリングとRFマグネトロンスパッタリングの主な違いは、ターゲットに印加する電圧の種類と、異なる種類の材料への適用性にある。
DCマグネトロンスパッタリング：
DCマグネトロンスパッタリングでは、一定の直流電圧がターゲットに印加される。この方法は、電子がガスプラズマに直接イオンを衝突させるため、導電性材料に適している。このプ ロセスは通常、高い圧力で作動するため、その維持は困難である。DCスパッタリングに必要な電圧は2,000～5,000ボルトである。RFマグネトロンスパッタリング：
一方、RFマグネトロンスパッタリングは、無線周波数（通常13.56 MHz）の交流電圧を使用する。この方法は、DCスパッタリングで起こりうるターゲット表面への電荷蓄積を防ぐことができるため、非導電性または絶縁性の材料に特に適している。高周波の使用により、真空チャンバー内のイオン化粒子の割合が高くなるため、低圧での操作が可能になる。RFスパッタリングに必要な電圧は通常1,012ボルト以上で、これはDCスパッタリングと同じ成膜速度を得るために必要である。RFスパッタリングでは、イオンを直接照射するのではなく、運動エネルギーを利用してガス原子の外殻から電子を除去するため、このような高い電圧が必要となる。
結論
