薄膜蒸着プロセスにおける蒸着速度を決定するためには、この速度に影響を与える要因と、その計算に利用可能な方法を理解することが不可欠である。蒸着速度は、蒸着された薄膜の厚さ、均一性、全体的な品質に影響する重要なパラメータです。この回答では、さまざまな要因や計算式を考慮した蒸着速度の決定方法について詳しく説明します。
キーポイントの説明
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蒸着速度の定義と重要性:
- 定義: 成膜速度は、スパッタされた材料が基板上に堆積する速度である。通常、単位時間当たりの膜厚単位(nm/minなど)で測定される。
- 重要性: 蒸着速度は、蒸着された薄膜の厚さと均一性に大きく影響します。このレートを最適化することで、所望の膜特性を達成し、特定のアプリケーション要件を満たすことができます。
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蒸着速度の計算式:
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基本式: 蒸着速度(Rdep)は、以下の式で計算できます:
- [
- R_{text{dep}} = A ◆times R_{text{sputter}
- ]
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ここで
- ( R_{text{dep}} ) は蒸着速度である。
- ( A ) は蒸着面積である。
- ( R_{text{sputter}} ) はスパッタリングレートである。
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基本式: 蒸着速度(Rdep)は、以下の式で計算できます:
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実験式:
- 別の方法として、蒸着率は以下の式を用いて実験的に決定することもできる:[
- C = ³{frac{T}{t}]
- ここで
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( C ) は蒸着速度。
- ( T ) は膜厚。( t ) は蒸着時間。
- 成膜速度に影響を与える要因:スパッタパラメーター:
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スパッタ電流、スパッタ電圧、試料室内の圧力(真空度)、ターゲットから試料までの距離、スパッタガス、ターゲットの厚さ、ターゲットの材質など、さまざまなスパッタパラメータが蒸着速度に影響する。
- 基板温度: 基板温度は、初期成膜時間と成長速度に大きく影響する。基板温度が低いと成膜速度が遅く、表面粗さが大きくなり、高いと成膜速度が速く、表面粗さが小さくなる。
- 前駆体の温度と真空: プリカーサーの温度と反応チャンバー内の真空度も膜粗さ、ひいては成膜速度に影響を与える。
最適化技術:
スパッタパラメーターの調整: