管状炉
マルチゾーン ラボ クオーツチューブファーネス チューブファーネス
商品番号 : KT-MTF
価格は以下に基づいて変動します 仕様とカスタマイズ
- 最高温度
- 1700 ℃
- 定常作業温度
- 1650 ℃
- 炉管直径
- 30 / 40 / 60 / 80 / 100 / 150 / 230 mm
- 加熱帯長
- 300 / 450 / 600 / 800 mm
- 加熱帯数
- 1-10 zones
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はじめに
マルチゾーンチューブファーネスは、高温用途向けに設計された多用途の実験装置です。複数の独立して制御可能な加熱ゾーンを備えており、正確な温度勾配または均一な加熱が可能です。ファーネスには通常、サンプルを封入および加熱するための高純度石英またはアルミナチューブが装備されています。
この高度なシステムは、広い温度範囲（300〜1600℃）、正確な温度制御、および効率的な断熱を提供します。その用途には、真空または不活性ガス環境下での焼結、コーティング、熱分解、および化学気相成長（CVD）プロセスが含まれます。複数の加熱ゾーンにより、カスタマイズされた温度プロファイルが可能になり、熱試験および分析の効率と精度が向上します。
用途
マルチゾーンチューブファーネスは、次のようなさまざまな用途で広く使用されています。
- 焼結
- コーティング
- 熱分解
- CVDプロセス
- 焼入れ試験
- 温度測定
- 化学気相成長
- 高温熱処理
- 金属材料
- セラミック材料
- ナノマテリアル
- 半導体材料
- 粉末冶金
- 新素材
- 石油化学
- 航空宇宙
特徴
マルチゾーンチューブファーネスは、実験室プロセスを効率化および精度向上させるために設計された、さまざまな高度な機能を提供します。
- 正確な温度制御：各加熱ゾーンを独立して制御することで、正確な温度分布を確保し、温度勾配を最小限に抑えます。
- 高温能力：最高温度1600℃で、このファーネスは幅広い高温用途に適しています。
- 多用途の加熱ゾーン：2、3、または5つの加熱ゾーンで利用可能で、ファーネスはカスタマイズされた温度プロファイルと調整された加熱要件を可能にします。
- 効率的な断熱：二重ファーネスシェル設計と強制空気を循環させることで、熱損失を最小限に抑え、低い表面温度を維持します。
- 簡単な操作：PIDプログラマブル温度制御とユーザーフレンドリーなタッチスクリーンにより、操作と監視が簡単になります。
- リモートコントロール：リモートコントロールと集中制御機能により、便利で効率的な操作が可能になります。
- 高真空対応：複数のポートを備えたステンレス鋼真空フランジは、優れたシール性と高真空圧を保証し、真空ベースのアプリケーションに適しています。
- データロギングと分析：TFTタッチスクリーンコントローラーにより、プログラム設定、履歴データ分析、レシピ保存が容易になります。
原理
マルチゾーンチューブファーネスは、制御された環境でサンプルを加熱することによって機能します。ファーネスには複数の加熱ゾーンがあり、それぞれを独立して制御して特定の温度勾配を作成できます。これにより、加熱プロセスを正確に制御でき、アニーリング、焼結、CVDなどのさまざまな用途に使用できます。ファーネスには真空ポンプも装備されており、真空環境を作成して、サンプルからガスを除去したり、制御された雰囲気を作成したりできます。
利点
- 正確な温度制御：各加熱ゾーンは独立して制御できるため、正確な温度勾配とチューブ全体での均一な加熱が可能です。
- 高温能力：最高温度1600℃で、マルチゾーンチューブファーネスは高温を必要とする要求の厳しいアプリケーションに対応できます。
- 真空および不活性ガス対応：ファーネスは真空または不活性ガスフロー条件下で使用できるため、焼入れ、焼結、CVDなどのさまざまなプロセスに適しています。
- 高純度材料：ファーネスチューブは高純度石英またはアルミナ製で、汚染を最小限に抑え、正確な温度測定を保証します。
- 効率的な断熱：二重ファーネスシェル設計と内外シェル間の強制空気流により、熱損失を最小限に抑え、低い表面温度を維持します。
- ユーザーフレンドリーなインターフェース：直感的なプログラミングとデータ分析機能を備えたTFTタッチスクリーンコントローラーにより、操作と監視が簡素化されます。
- 多用途性：材料加工、温度測定、試験など、研究、開発、製造環境でのさまざまな用途に適しています。
安全上の利点
- Kindle Techチューブファーネスは、過電流保護と過熱アラーム機能を備えており、過電流が検出されるとファーネスは自動的に電源をオフにします。
- ファーネスに内蔵された熱電対検出機能により、熱電対が破損または故障した場合は、ファーネスは加熱を停止し、アラームが鳴ります。
- TFM Proは停電再起動機能をサポートしており、停電後に電源が復旧するとファーネスはファーネス加熱プログラムを再開します。
技術仕様
| ファーネスモデル | KT-MTF | KT-MTF Pro |
| 温度コントローラー | デジタルPIDコントローラー | タッチスクリーンPIDコントローラー |
| マルチプログラムプリセット | いいえ | はい |
| 停電再起動 | いいえ | はい |
| 最高温度 | 1700℃ | |
| 定常作業温度 | 1650℃ | |
| ファーネスチューブ材質 | 高級石英/アルミナ（Al2O3） | |
| ファーネスチューブ径 | 30 / 40 / 60 / 80 / 100 / 150 / 230 mm | |
| 加熱ゾーン長 | 300 / 450 / 600 / 800 mm | |
| 加熱ゾーン数 | 1〜10ゾーン | |
| 真空シールソリューション | Oリング付きSS 304フランジ | |
| 定格真空圧 | 0.001Pa / 10E5 torr | |
| 定格正圧 | 0.02MPa / 150 torr | |
| チャンバー材質 | 日本アルミナ（Al2O3）ファイバー | |
| 発熱体 | Cr2Al2Mo2ワイヤーコイル | |
| 熱電対 | K / S / Bタイプ | |
| 温度制御精度 | ±1℃ | |
| 温度均一性 | ±5℃ | |
| 電源 | AC110-220V、50/60Hz | |
| その他のアルミナ（Al2O3）チューブサイズと加熱ゾーン長はカスタマイズ可能です | ||
標準パッケージ
| 番号 | 説明 | 数量 |
| 1 | ファーネス | 1 |
| 2 | アルミナチューブ | 1 |
| 3 | 真空フランジ | 2 |
| 4 | チューブ熱ブロック | 2 |
| 5 | チューブ熱ブロックフック | 1 |
| 6 | 耐熱グローブ | 1 |
| 7 | 操作マニュアル | 1 |
オプション設定
- H2、O2などのチューブ内ガス検出および監視
- 独立したファーネス温度監視および記録
- PCリモートコントロールおよびデータエクスポート用のRS 485通信ポート
- マスフローメーターやフロートフローメーターなどの挿入ガス供給流量制御
- 多機能で操作しやすいタッチスクリーン温度コントローラー
- ベーン真空ポンプ、分子ポンプ、拡散ポンプなどの高真空ポンプステーションセットアップ
警告
オペレーターの安全は最重要課題です。装置の操作には注意してください。引火性ガス、爆発性ガス、有毒ガスを扱う作業は非常に危険です。オペレーターは装置を始動する前に必要な予防措置をすべて講じる必要があります。反応器またはチャンバー内で陽圧を使用して作業するのは危険です。オペレーターは安全手順を厳密に遵守する必要があります。空気反応性材料を使用する場合、特に真空下で作業する場合には、特別な注意を払う必要があります。漏れがあると空気が装置内に引き込まれ、激しい反応が発生する可能性があります。
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FAQ
管状炉とは何ですか?
実験用管状炉は、古典的な外部加熱高温管状炉の 1 つであり、ホットウォール加熱炉とも呼ばれます。
異なる使用温度に応じて、炉管の材質は通常、透明な石英管、高純度のアルミナセラミック管、高強度金属合金管になります。
さまざまな熱研究目的を満たすために、管状炉は複数の加熱ゾーンを備えて設計でき、管状作業室内の温度勾配を柔軟に制御できます。炉心管は、制御された雰囲気作業環境または高真空作業環境で動作できます。
CVD炉とは何ですか？
化学蒸着 (CVD) は、加熱、プラズマ励起、光放射などのさまざまなエネルギー源を使用して、気相または気固界面で気体または蒸気の化学物質を化学反応させ、反応器内に固体堆積物を形成する技術です。化学反応。簡単に言うと、2 つ以上のガス状原料が反応チャンバーに導入され、それらが互いに反応して新しい材料を形成し、それを基板表面に堆積させます。
CVD炉は、高温管状炉ユニット、ガス制御ユニット、真空ユニットを備えた1つの複合炉システムであり、複合材料の調製、マイクロエレクトロニクスプロセス、半導体オプトエレクトロニクス、太陽エネルギー利用、光ファイバー通信、超伝導体の実験と生産に広く使用されています。技術、保護コーティング分野。
管状炉はどのように機能するのでしょうか?
管状炉の加熱要素は円筒状キャビティの周囲に配置されます。炉は間接的な熱放射によってのみ円筒状キャビティ内のサンプルを加熱できます。これは、管状炉によりサンプル材料が炉の加熱要素や断熱材と接触するのを防ぐことができるため、管状炉はきれいな隔離された炉を作成します。チャンバーを加熱し、サンプル材料が炉によって汚染されるリスクを軽減します。
CVD炉はどのように動作するのですか?
CVD炉システムは、高温管状炉ユニット、反応ガス源精密制御ユニット、真空ポンプステーションおよび対応する組立部品で構成されています。
真空ポンプは反応管から空気を除去し、反応管内に不要なガスがないことを確認します。その後、管状炉が反応管を目標温度まで加熱し、反応ガス源の精密制御ユニットがさまざまなガスを導入できます。化学反応用の炉管内に設定された比率のガスが導入され、CVD 炉内で化学気相成長が形成されます。
管状炉の用途は何ですか?
管状炉は主に冶金、ガラス、熱処理、リチウムアノードおよびカソード材料、新エネルギー、研磨材およびその他の産業で使用され、特定の温度条件下で材料を測定するための専門的な機器です。
シンプルな構造、簡単な操作、簡単な制御、連続生産が特徴の管状炉です。
管状炉は、CVD (化学気相成長) およびプラズマ強化 CVD システムにも広く適用されています。
CVDプロセスで使用されるガスは何ですか?
CVD プロセスでは使用できるガス源が膨大にあり、CVD の一般的な化学反応には熱分解、光分解、還元、酸化、酸化還元が含まれるため、これらの化学反応に関与するガスを CVD プロセスで使用できます。
CVD グラフェン成長を例に挙げます。CVD プロセスで使用されるガスは CH4、H2、O2、N2 です。
管状炉の種類は何種類ありますか?
管状炉はさまざまな機械的機能をスムーズに動作させることができるため、さまざまな実験目的に応じてさまざまなタイプの管状炉のバリエーションがあり、代表的な炉炉は次のとおりです。
- 横型管状炉
- 縦型管状炉
- 分割管状炉
- ロータリー管状炉
- 傾斜管状炉
- スライド管状炉
- 高速加熱冷却管状炉
- 連続供給・排出管状炉
CVD装置の利点は何ですか？
- 金属膜、非金属膜、多成分合金膜など、ご要望に応じて幅広い膜の製造が可能です。同時に、GaNやBPなど他の方法では得られない高品質な結晶を作製することができます。
- 成膜速度は速く、通常は毎分数ミクロン、場合によっては毎分数百ミクロンです。液相エピタキシー（LPE）や分子線エピタキシー（MBE）など他の成膜法とは比べものにならない、均一な組成のコーティングを同時に大量に成膜することが可能です。
- 作業条件は常圧または低真空条件下で行われるため、コーティングの回折性が良好で、複雑な形状のワークピースでも均一にコーティングでき、PVD に比べてはるかに優れています。
- 反応ガス、反応生成物、基材の相互拡散により、耐摩耗性や耐腐食性の皮膜などの表面強化皮膜の作製に重要な密着強度の高い皮膜が得られます。
- 一部のフィルムは、フィルム材料の融点よりもはるかに低い温度で成長します。低温成長条件下では、反応ガスと反応炉壁およびそれらに含まれる不純物とがほとんど反応しないため、高純度で結晶性の良い膜が得られる。
- 化学気相成長法では平滑な成膜面が得られます。これは、LPE と比較して、化学気相成長 (CVD) が高飽和下で行われるため、核生成率が高く、核生成密度が高く、面内均一に分布するため、巨視的に滑らかな表面が得られます。同時に、化学蒸着では、分子（原子）の平均自由行程が LPE よりもはるかに大きいため、分子の空間分布がより均一になり、滑らかな蒸着表面の形成に役立ちます。
- 金属酸化物半導体（MOS）やその他のデバイスの製造に必要な条件である放射線ダメージが低い
PECVD とは何の略ですか?
PECVDは、プラズマを利用して反応ガスを活性化し、基板表面または表面近傍空間での化学反応を促進し、固体膜を生成する技術です。プラズマ化学蒸着技術の基本原理は、RF または DC 電場の作用下でソースガスがイオン化されてプラズマを形成し、低温プラズマがエネルギー源として使用され、適切な量の反応ガスが生成されます。を導入し、プラズマ放電を利用して反応ガスを活性化し、化学気相成長を実現します。
プラズマの発生方法により、RFプラズマ、DCプラズマ、マイクロ波プラズマCVDなどに分けられます。
CVDとPECVDの違いは何ですか?
PECVD と従来の CVD 技術の違いは、プラズマには大量の高エネルギー電子が含まれており、化学蒸着プロセスで必要な活性化エネルギーを提供できるため、反応システムのエネルギー供給モードが変化することです。プラズマ中の電子温度は 10000K と高いため、電子とガス分子の衝突により反応ガス分子の化学結合の切断と再結合が促進され、より活性な化学基が生成され、同時に反応系全体がより低い温度を維持します。
したがって、CVD プロセスと比較して、PECVD は同じ化学気相成長プロセスをより低い温度で実行できます。
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