グラフェンを作るのは複雑なプロセスのように思えるが、最も簡単で効果的な方法がある:化学気相成長法(CVD)である。
5つのポイント
1.化学気相成長法(CVD)とは?
CVDは、基板(通常は銅やニッケルなどの金属箔)上にグラフェン膜を成長させるために用いられる方法である。
2.CVDの仕組みは?
このプロセスでは、反応室内の温度とガス組成を注意深く制御する。これにより、基板表面にグラフェン膜が形成される。
3.なぜCVDが好まれるのか?
CVDが好まれる理由は、高品質で大面積のグラフェンを製造できるからである。このグラフェンは、エレクトロニクス、エネルギー貯蔵、その他の分野での応用に不可欠である。
4.CVDプロセスの詳細
CVDでは、高温で分解するガス状の前駆体を使用する。分解された炭素原子が結合し、基板表面にグラフェンが形成される。銅は安価で、単層グラフェンの成長を促進する能力があるため、基板として一般的に使用されている。
5.他の方法に対する CVD の利点
液相剥離やSiCの制御昇華など、他の方法も存在するが、収率が低い、コストが高い、大面積のグラフェンが作れないなどの制約がある。一方、CVDはスケーラブルで費用対効果に優れているため、研究用途にも商業用途にも理想的である。
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