基板上に材料を薄く蒸着させる場合、物理的気相成長法（PVD）と化学的気相成長法（CVD）の2つの方法が一般的です。
5つの主な違いを説明
1.プロセスのメカニズム
物理的気相成長法（PVD）： PVDは、物理的な力を使って基板上に薄い層を蒸着させる。
化学気相成長法（CVD）： CVDは化学反応を利用して同じ結果を得る。
2.温度条件
PVD： 厳しい温度要件はない。
CVD： 一般的に、成膜に必要な化学反応を開始するために高温が必要。
3.応用適性
PVD： 高精度で均一な薄膜を形成することで知られ、高度な薄膜デバイスに適している。
CVD： シリコンのような材料の薄膜形成によく用いられる。
4.健康と安全性
PVD： 通常、危険なガスや化学物質を使用しない。
CVD： 危険なガスや化学薬品を使用する可能性があり、安全衛生上のリスクがある。
5.基本的な違い
PVDとCVDの根本的な違いは、成膜方法にあります。
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