基板上に材料を蒸着させる場合、化学的気相成長法（CVD）と物理的気相成長法（PVD）という2つの主な方法が一般的に使用されます。
化学気相成長法（CVD）と物理気相成長法（PVD）の4つの主な違い
1.蒸着方法
化学気相成長法（CVD）： CVDでは、反応ガスがチャンバー内に導入され、基板表面で化学反応を起こす。この反応によって固体膜が形成される。
物理的気相成長法（PVD）： PVDは、化学反応を伴わずに、物理的な方法で物質の状態を固体から気体へ、また固体へと変化させる。
2.蒸着材料の種類
化学気相成長法（CVD）： CVDは、二酸化ケイ素や窒化ケイ素などの誘電体の蒸着によく使用される。このプロセスには、大気圧化学気相成長法（APCVD）、低圧化学気相成長法（LPCVD）、有機金属化学気相成長法（MOCVD）、プラズマエンハンスト化学気相成長法（PECVD）など、さまざまな種類があります。
物理的気相成長法（PVD）： PVDは通常、金属の蒸着に使用されるが、電子ビーム蒸着などの技術を使用して、酸化物や半導体の蒸着にも使用できる。
3.環境への影響
化学気相成長法（CVD）： 化学反応に基づくプロセスであるため、CVDは新たな物質を生成し、より多くの汚染を引き起こす可能性がある。
物理的気相成長法（PVD）： PVDは成膜プロセス中に新たな物質を生成しないため、より環境に優しいと考えられており、公害を減らすことができる。
4.用途と応用
化学気相成長法（CVD）： CVDは、成膜する材料の種類や膜の特性など、用途に応じた特定の要件に基づいて選択される。
物理蒸着法（PVD）： PVDは、環境の持続可能性を優先する産業でますます好まれています。
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