スパッタリングは物理的気相成長法（PVD法）の一つで、様々な商業的・科学的目的で基板上に薄膜を堆積させるのに用いられる。他の蒸着法とは異なり、ソース材料（ターゲット）は溶融しない。その代わり、原子は衝突粒子（通常はガス状イオン）からの運動量移動によって放出される。このプロセスには、スパッタ放出原子の運動エネルギーが高いため密着性が向上する、融点の非常に高い材料をスパッタできるなどの利点がある。
詳しい説明
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スパッタリングのメカニズム
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スパッタリングは、固体材料の表面にガスやプラズマからのイオンなどの高エネルギー粒子が衝突することで発生する。この衝突により、ターゲット材料から微小粒子が放出される。粒子加速器、高周波マグネトロン、プラズマなどの方法で生成される入射イオンは、固体表面のターゲット原子と衝突する。これらの衝突は運動量を交換し、隣接する粒子の衝突カスケードを誘発する。これらのカスケードからのエネルギーが表面ターゲットの結合エネルギーを超えると、原子が放出される。スパッタリングの種類
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スパッタリングプロセスには、イオンビーム、ダイオード、マグネトロンスパッタリングなどいくつかの種類がある。特にマグネトロンスパッタリングは、その効率と環境への配慮から広く用いられている。マグネトロンスパッタリングは、低圧ガス（通常はアルゴン）中に高電圧を印加し、高エネルギーのプラズマを発生させる。このプラズマは、しばしば「グロー放電」として目に見えるが、電子とガスイオンからなり、スパッタリングプロセスを促進する。
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用途と利点：
スパッタリングは、金属、半導体、光デバイスの薄膜形成に広く利用されている。スパッタリングは、半導体、ディスクドライブ、CD、光学機器の製造に不可欠である。この技術は、複雑な形状であっても、高精度で均一な材料を成膜できることで評価されている。さらに、放出される原子の高い運動エネルギーが蒸着膜の密着性を高めるため、反射膜から先端半導体デバイスまで、さまざまな用途に適している。
歴史的・技術的意義
