スパッタリングは、高エネルギー粒子による砲撃によってターゲット材料から原子を放出させ、基板上に堆積させる薄膜堆積プロセスである。このプロセスは、半導体、ディスクドライブ、CD、光学機器などの産業で広く使用されている。
詳しい説明
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スパッタリングのメカニズム
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スパッタリングでは、高エネルギーの粒子またはイオンのプラズマが固体ターゲットの表面に衝突する。この衝突によってターゲットから原子が放出される。放出された原子は真空中を移動し、基板上に堆積して薄膜を形成する。このプロセスは物理的気相成長法(PVD)の一種であり、成膜は化学的手段ではなく物理的手段で行われる。歴史的発展
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スパッタリング現象は、グローブやファラデーのような科学者によって19世紀に初めて観察された。しかし、スパッタリングが重要な工業プロセスとなったのは20世紀半ばになってからで、特に1960年代にはクロムをスパッタリングしたカミソリプレートのような技術が開発された。スパッタリングの理論的理解と実用的応用は、その発見以来、真空技術とプラズマ物理学の進歩とともに大きく発展してきた。
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スパッタリングの種類
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スパッタリング・プロセスには、カソード・スパッタリング、ダイオード・スパッタリング、RFまたはDCスパッタリング、イオンビーム・スパッタリング、反応性スパッタリングなど、いくつかのバリエーションがある。名称や具体的な技法は違っても、基本的にはいずれもイオン砲撃によってターゲット材料から原子を放出させる方法である。応用例
スパッタリングは、半導体、光学装置、精密コーティングなどに必要な、精密な特性を持つ薄膜の製造に極めて重要である。スパッタリングによって製造される薄膜は、均一性、密度、密着性に優れていることで知られており、これらの特性が不可欠な幅広い用途に適している。