知識 直流スパッタリングのメカニズムとは?(5つのステップ)
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技術チーム · Kintek Solution

更新しました 1 month ago

直流スパッタリングのメカニズムとは?(5つのステップ)

DCスパッタリングは、基板上に薄膜を成膜するために使用される物理蒸着(PVD)技術である。

直流(DC)電圧を使用し、低圧ガス環境(通常はアルゴン)でプラズマを発生させる。

このプロセスでは、ターゲット材料にアルゴンイオンを衝突させ、ターゲットから原子を放出させ、その後基板上に堆積させて薄膜を形成する。

DCスパッタリングのメカニズム: (5つの主要ステップを説明)

直流スパッタリングのメカニズムとは?(5つのステップ)

1.真空を作る

プロセスは、スパッタリングチャンバー内を真空にすることから始まる。

このステップにはいくつかの重要な理由がある。それは、粒子の平均自由行程を増加させることにより、清浄度を確保し、プロセス制御を強化することである。

真空中では、粒子が衝突することなく長い距離を移動できるため、スパッタされた原子が干渉することなく基板に到達し、より均一で滑らかな成膜が可能になります。

2.プラズマ形成とイオンボンバードメント

真空が確立されると、チャンバー内が不活性ガス(通常はアルゴン)で満たされる。

ターゲット(陰極)と基板(陽極)の間に直流電圧が印加され、プラズマ放電が発生する。

このプラズマ中で、アルゴン原子は電離してアルゴンイオンになる。

これらのイオンは電界によって負に帯電したターゲットに向かって加速され、運動エネルギーを得る。

3.ターゲット材料のスパッタリング

高エネルギーのアルゴンイオンがターゲット材料に衝突し、ターゲットから原子が放出される。

スパッタリングとして知られるこのプロセスは、高エネルギーイオンからターゲット原子への運動量移動に依存している。

放出されたターゲット原子は蒸気状態にあり、スパッタリングされた原子と呼ばれる。

4.基板への蒸着

スパッタされた原子はプラズマ中を移動し、異なる電位に保持された基板上に堆積する。

この堆積プロセスにより、基板表面に薄膜が形成される。

薄膜の厚さや均一性などの特性は、電圧、ガス圧、ターゲットと基板間の距離などのパラメーターを調整することで制御できる。

5.制御と応用

DCスパッタリングは、特に導電性材料の成膜において、その簡便さと費用対効果の高さから好まれている。

プロセスの制御が容易なため、半導体製造、宝飾品や時計の装飾コーティング、ガラスやプラスチックの機能性コーティングなど、さまざまな用途に適しています。

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