化学気相成長法(CVD)は、加熱された基板表面上で気体状の前駆体分子を制御しながら反応させ、薄膜やコーティングを堆積させるプロセスである。この方法によって、純度、硬度、耐損傷性など、望ましい特性を備えた高品質の材料を製造することができる。
6つの主要ステップ
1.反応ガス種の表面への輸送
CVDで使用されるガス状前駆体分子は、加熱された基板や材料の表面に輸送される。この輸送は、キャリアガスを介して起こる場合と、拡散によって起こる場合がある。
2.表面への種の吸着
前駆体分子は基板表面に吸着する。この吸着は、前駆体分子と基板表面との間の引力によって起こる。
3.不均一表面触媒反応
いったん吸着すると、前駆体分子は基板表面で化学反応を起こす。これらの反応は、基材自体によって触媒される場合と、基材表面にコーティングされた触媒によって触媒される場合がある。
4.成長部位への種の表面拡散
表面で形成された反応生成物や中間種は、基板表面を拡散して成長部位に到達する。これらの成長部位は、通常、表面上でより高いエネルギーまたは反応性を持つ領域である。
5.膜の核生成と成長
成長サイトでは、反応生成物や中間種が核を形成し、これが目的の膜の成長の起点となる。その後、より多くの前駆体分子が反応し、基板表面に堆積するにつれて、膜は成長を続ける。
6.ガス状反応生成物の脱着と表面からの反応生成物の輸送
成膜プロセス中、ガス状反応生成物や未反応の前駆体分子は基板表面から脱離する。これらの反応生成物は、通常、キャリアガスまたは真空システムを使用して、表面から輸送される。
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