基板上に薄膜を蒸着させる場合、物理的気相成長法（PVD）と化学的気相成長法（CVD）の2つの方法が一般的に使用されます。
物理的気相成長法（PVD）と化学的気相成長法（CVD）の4つの主な違い
1.蒸着方法
物理的気相成長法（PVD）：
PVDは物理的な手段を使って基板上に材料を蒸着させる。
化学気相成長法（CVD）：
CVDは、反応ガスと基板表面の化学反応を利用して材料を蒸着する。
2.プロセスの詳細
物理蒸着（PVD）：
PVDでは、材料は凝縮相（固体または液体）から気体相に変化し、基板上で凝縮相に戻る。このプロセスは化学反応を伴わない。
化学気相成長法（CVD）：
CVDでは、反応ガスをチャンバー内に導入し、基板表面で化学反応を起こして固体膜を形成する。
3.一般的な方法
物理蒸着法（PVD）：
一般的なPVD法には、蒸発蒸着法とスパッタリング蒸着法がある。蒸着では、材料は気化するまで加熱され、基板上で凝縮する。スパッタリング蒸着では、原子がターゲット材料から放出され、ボンバード粒子からの運動量移動によって基板上に堆積する。
化学気相成長（CVD）：
CVDには、プラズマエンハンスト化学気相成長法（PECVD）などさまざまな種類がある。これらの方法は、二酸化ケイ素や窒化ケイ素などの誘電体の蒸着に使用される。
4.用途と環境への影響
物理的気相成長法（PVD）：
PVDは通常、金属の蒸着に使用される。しかし、電子ビーム蒸着などの技術を使えば、酸化物や半導体の蒸着も可能で、反射防止コーティングによく使われる。PVDは、新しい物質の生産や古い物質の消費を伴わないため、化学汚染の可能性が低く、環境に優しいと考えられている。
化学気相成長法（CVD）：
CVDは、化学組成と特性の精密な制御が必要な材料の薄膜を蒸着するために、半導体産業で広く使用されています。
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