カーボン・ナノチューブ（CNT）を合成する主な化学的方法は、化学気相成長法（CVD）である。この方法では、金属触媒上で炭化水素ガスを高温で分解し、カーボンナノチューブを形成する。CVDは、そのスケーラビリティとナノチューブ構造の制御性から好まれ、商業プロセスとして主流となっている。
詳しい説明
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化学気相成長（CVD）プロセス：
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CVDプロセスでは、前駆体ガス（通常はメタンやエチレンなどの炭化水素）を金属触媒（多くの場合、鉄、コバルト、ニッケル）上に高温（通常は600℃～1200℃）で通過させる。金属触媒粒子は、ガス中の炭素原子が分解し、ナノチューブの管状構造に再集合する核生成サイトとして機能する。ナノチューブの成長は、触媒表面に垂直な方向に起こる。触媒と基材の調製：
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触媒は多くの場合、シリコンウェハーやセラミックプレートなどの基板上に堆積される。触媒粒子は、ナノチューブの成長を促進するために適切な大きさ（通常1～100nm）でなければならない。触媒層の調製は、ナノチューブの密度、配列、品質に影響するため非常に重要である。
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プロセス・パラメーター
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CVDによるCNT合成の成否は、温度、ガス流量、圧力、触媒の選択など、いくつかのパラメータに左右される。例えば、一般に温度が高いほど成長が早まるが、ナノチューブに欠陥が生じることもある。ガス流量は成長に利用可能な炭素原子の濃度に影響し、圧力は触媒表面へのこれらの原子の拡散に影響する。新しい技術と原料：
CVDにおける最近の開発には、改良型触媒CVD法における原料としての一酸化炭素の使用が含まれる。さらに、溶融塩中での電気分解やメタンの熱分解によって回収された二酸化炭素のような、グリーン原料や廃棄物原料を使用することへの関心も高まっている。これらの方法は、環境廃棄物を管理し、温室効果ガスの排出を削減しながらCNTを製造することを目的としている。
